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1、现在来说MOS管分为几大系列:美系、日系、韩系、台系、国产。
2、仙童,东芝,ST意法半导体,NXP,AOS等等,但是一些国产MOS管也不错,新洁能MOS管已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术,其部分产品的参数性能与送样表现,与英飞凌、安森美等国际品牌相当。
3、目前市面上主流采用的MOS管有ST、ON(安森美)、infineon、fairchildsemi(仙童(飞兆半导体))、台湾富鼎先进、台湾茂达、aosmd等……。铭瑄采用最多的是ST。
4、你可以到淘宝上去搜,IRF带头的功率MOS管是最多,最普及的。其他的还有日本的TOSHIBA,东芝,东芝的功率管,结型管方面都做得很不错。其他还有很多,比如NXP,ST(意法),NS(国半),UTC,仙童,Vishay等等。
5、现在MOS管厂家和公司都挺多的,比较好的就是FOSAN富信科技,他们成立时间长,技术实力和专业性都有保障,品质也能对标国际品牌,有需要的话,可以去他们官网看看,详细咨询一下。 具体不妨百度一下。
6、最好的肯定是英飞凌啦,特别是C3系列的比一般的品牌要高一个档次。其次低压比较出色的是IR,高压的也不少,比如仙童,富士,ST。东芝的现在在消费类才比较有市场。现在市场上新推的Cool-Mos,英飞凌的也是最好。
其次低压比较出色的是IR,高压的也不少,比如仙童,富士,ST。而东芝的现在在消费类才比较有市场,还有韩系,台系的,最后就是国产的了。现在市场上新推的Cool-Mos,英飞凌的也是最好。
建议选择单管IGBT,IGBT是第四代逆变技术。是在第三代MOS场效应管的基础上升级改进的。技术比MOS管成熟,焊机性能稳定。民用单管IGBT代表品牌 佳士品牌 佳士宝系列。MOS场效应管代表品牌 瑞凌品牌 瑞凌系列。
有可能是驱动板的问题,请着重检测烧管那边的驱动,类似我以下的四组驱动,每组对应相关的管。
1、需要48v20HA的充电器,电流1-6A,功率90-120W。四块12V电池的充电器即48V充电器,前两个参数为前述电压参考值除以三乘以四。高恒压值为55V左右、低恒压值为55V左右。
2、也就是大约2度电。综上所述,48V20AH电动车电瓶完全放空后,充满需要损耗大约2度电,如果电池还有剩余电量的话,耗电量会根据实际情况降低相应的量,衰减的旧电池容量会下降,同样会减少充电损耗的量。
3、电动车电瓶48V20AH,代表的是一组容量为20安时电动车电瓶,有4块电瓶串联组成,每块电瓶电压为12V,容量为20AH,48V=12V *4。电池在充满的情况下,如果以20A的电流放电,刚好1小时可以将电池耗尽。
4、电动车电瓶48V20AH,代表的是一组容量为20安时电动车电瓶,有4块电瓶串联组成,每块电瓶电压为12V,容量为20AH,48V=12V*4。如果电池以20A的电流充满和放电,电池将在1小时内耗尽。
5、可以这样大致求知:20A/17A=2(小时),即:配到800W的电机,只能走小于等于2小时的路程,也可以这样理解:2小时后,电池电量几乎用光了。
6、比如一个电瓶车电瓶是48V20Ah,电机48V350w。它的电流=350W除以48V=29A。就是说以48V供电到最高速度就是29安的电流。但是电动机启动的时候瞬间电流会远大于29安。工作原理 导体受力的方向用左手定则确定。
目前市面上主流采用的MOS管有ST、ON(安森美)、infineon、fairchildsemi(仙童(飞兆半导体))、台湾富鼎先进、台湾茂达、aosmd等……。铭瑄采用最多的是ST。
仙童,东芝,ST意法半导体,NXP,AOS等等,但是一些国产MOS管也不错,新洁能MOS管已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术,其部分产品的参数性能与送样表现,与英飞凌、安森美等国际品牌相当。
好多,最有名的是美国的IR公司,也就是International Rectifier,国际整流器公司,他基本上是功率 半导体方面的领袖级企业了,它的产品很好辨识,型号前缀IRF的,基本上都是他们家的。
现在MOS管厂家和公司都挺多的,比较好的就是FOSAN富信科技,他们成立时间长,技术实力和专业性都有保障,品质也能对标国际品牌,有需要的话,可以去他们官网看看,详细咨询一下。 具体不妨百度一下。
一般知名度高、口碑好、规模大的,基本上都差不了,华基半导体、吉林华微、华润华晶、富信电子这些,都挺不错的,如果有需要的话,可以自己对比一下。
扬杰科技 扬州扬杰电子科技股份有限公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化(IDM)的杰出厂商。
从碳化硅肖特基二极管到MOSFET,三安集成在3年时间内便完成了碳化硅器件产品线布局。在保证器件性能的前提下,提供高质量高可靠性的碳化硅产品。
这是国内首条6英寸碳化硅生产线,获得了国家“02专项 ”、国家发改委新材料专项等国家重点项目支持,是中车时代电气的重点投资项目之一,实现碳化硅二极管和MOSFET芯片工艺流程整合,成功试制1200V碳化硅肖特基二极管功率芯片。
如果楼主对声音的要求一般,只要声音大,失真不算高就行的话,TDA7294或者LM3886接为OCL电路是不错的选择,必竟价格低,而且声音也是很不错的,性价比高。如果楼主对声音要求很高的话,那就不推荐用集成功放模块了。
法则之一:用N沟道orP沟道 选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。
VMOS管的漏源击穿VBR(DSS)可做得较高,当出现异常情况时,不易损坏。
更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。
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