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mos管反向（MOS管反向使用截止）

发布时间：2023-09-05
阅读量：31

本文目录一览：

MOSFET,能走反向电流吗?(不经过体二极管)

1、在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。

2、可以流动，不会烧管。是否烧管决定于电流产生的功率。如果是VMOS管直接存在反向导通的寄生二极管，反向电流可以畅通无阻。

3、MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

MOS管打开时,是否正向和反向都能导通

在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

反向也是可以通的，当MOS管导通，D和S端就相当于一个电阻。可以参考用MOS搭的直流电压防接反电路，可以看出导通方向是S到D，不是D到S。

和上一问一样，只有栅极和源极接正向电压才能导通，而且不能超过20V。接负电压和接0电压一样，都会截止。对。选用开启电压低一些的，Vdss＞5V，Idss＞100mA即可，可以用AO3400。

为什么开关电源的mos管的G极反向接个二极管

那个二极管主要加快MOS的关断速度，不过功率比较小的情况下效果不是太明显。

这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。

mos防反接一般用于大电流，二极管用于小电流。一般要在G极加稳压管和限流电阻，稳压管作用是稳定VGS电压，保护MOS。mos管DS串接在主电路中。

这个二极管是跟生产工艺有关的，并不是每个都有，像一些小功率的MOS和集成电路中有些就没有这个二极管，这个二极管产生的原因主要是因为我们在生产MOS的时候会将源级S接到衬底P上。

那个是续流二极管，正激式开关电源或降压型DC一DC变换器才需要。

IGBT是或MOSS管的反向阻断特性是什么呀?能不能详细讲解一下,谢谢了...

1、igbt工作原理和作用是：IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。

2、IGBT是绝缘栅双极型晶体管。是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

3、igbt的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区放大区2和击穿特性3部分。

4、IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。

5、不等于的，反响阻断电压很多时候会高于正向电压的，尤其是igbt的输出极是电感性质的负载的时候，比较明显。

电力mosfet能否反向导通?

在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。

可以，只是在正常的驱动电路上把D和S交换位置即可，是MOSFET导通，不通过体二极管，同步整流的MOSFET都是这么接的。就像下面这个简图。

mosfet由于自身构造及工艺原因，在漏极与源极之间存在一个反向并联的寄生二极管 ，因此可以双向导通电流。

关键词：mos管

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