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1、区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。
2、电子管和晶体管的区别如下：定义不同 电子管：电子管，是一种最早期的电信号放大器件。被封闭在玻璃容器（一般为玻璃管）中的阴极电子发射部分、控制栅极、加速栅极、阳极（屏极）引线被焊在管基上。
3、区别一：场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。而三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。区别二：场效应管和三极管的是电压和电流控制，但这都是相对的。
4、，两者有一个本质的差别，三极管是电流控制电流源。CMOS是电压控制电流源，所以三极管是电流为控制，CMOS是电压。2，三极管的结电容小，CMOS的大，所以三极管一般高频特性好。
导热管：笔记本电脑内部拥有一种叫做“热管”的装置，它是由高导热系数的材料填充的管道，可以在短时间内将热量从CPU等高温部位传导至导热片和散热器。
吸附性，绝缘、柔软有弹性不会损坏芯片表面、具有良好的导热性能。即使不用扣具也可以将小片的散热片吸附在芯片上，所以应用广泛。
例如CPU散热，由于CPU本身并没有得到电风扇的散热支持，最主要的散热设备依然是散热风扇，而依靠CPU散热风扇进行散热的主机板3相供电线路中的扼流线圈和MOS管，却被电风扇吹乱了原本的风流，使之得不到有效的散热。
如果风扇转速太慢或者风扇有噪音的话可以考虑换个风扇，或者对风扇除尘，适当地给风扇转轴上加点机油，不然温度太高就有可能烧坏主板或者CPU了。要拥有一个良好的散热空间，最好是通风、干燥 、整洁的地方。
这要看笔记本原来的散热模块机构，你可以找找有没有现成的改造案例。
把手放到风扇口，感觉出风量大不大，如果不大，拿高压气枪对着风扇口吹，把脏东西吹出来。把手贴到风扇口，感觉温度，如果烫手。跟第一个方法一样。主板的上南桥芯片放个硅胶垫，可以降温。
1、mos管型号如下：增强型mos管：采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管：其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
2、IRFU0IRFPG4IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。
3、AO4425 38V 14A P沟道8脚贴片 AO4431 30V，8A P沟道。
V/5V指的是适应CMOS/TTL电平，不是指电源电压不同。电源电压这个说法不准确。就PSIPICE而言，参数会略有区别。如果你的电路是CMOS/TTL兼容的，那么就可以混用。
MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。
是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。
电路中的DD5起隔离作用，即D3是防止A点交流负半周时，其电流通过R1；D5是防止A点交流正半周时，其电流通过R2的。电路的其他工作过程与上期图4相同。
可控硅(晶闸管)交流调压电路的原理方框图如图1所示（1）整流电路采用桥式整流，将220伏，50赫兹交流电压变为脉动直流电。（2）抗干扰电路为普通电源抗干扰电路。（3）可控硅控制电路采用可控硅和降压电阻组成。
(7)逆变晶闸管烧毁。拆掉晶闸管，用万用表量阴阳极电阻或启动中频后用示波器量晶闸管两端电压波形看是否是一条直线。若是一条直线证明此晶闸管击穿。(8)逆变晶闸管关不断。
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