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很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。
选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外,还应选择合适的电压和电流容量,以适应实际应用的需求。
选型时候,电压要大于额定电压尖峰值20V左右(不可太高),电流可以选择容量大的,同时查看下导通阻抗,越小越好。另外,建议采用IGBT,效果比MOS好,但是价格偏高些。
如果是低频开关电路,可以选三极管,高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区,比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。
降压电路驱动电路的MOS管尺寸选择,选择依据如下:首先,确定降压电路的最大输入电压,MOS管的耐压,需大于等于3倍以上输入电压,确保MOS管不会被击穿。
选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构 成了低压侧开关。
,根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft,一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%,所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关,依据Rds选择是注意其余温度的关系。2,还有一种方法就是给定一个温差,然推出Rds。
MOS导通后就是一个阻值很小的电阻,这个电阻叫Rds_on,即D、S间的电阻;流过MOS管D、S极的电流就会发热,P=i*i*Rds_on Rds_on与导通电压Vgs有关,Vgs越小(大于导通阈值电压5~6V),Rds_on越大。
耐压值,额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数,其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
一般情况下都可以,要注意其耐压,只能高不能低,但某些地方需要注意其频率,导通电压等。
mos管没有宽长比,mos管的VGS越负(绝对值越大),沟道的导通电阻越小,电流的数值越大。
1、IRFP250N:这是一款N沟道MOS场效应晶体管,具有低导通电阻、高开关速度、抗电磁干扰等特点,在冷焊机中应用广泛。
2、IRFU0IRFPG4IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。
3、V53A,600V55A,600V57A,600V60A的MOS,600V63A,600V67A,600V70A,600V72A的MOS,600V74A,600V77A,600V80A,600V85A,600V88A的MOS,600V90A,600V95A,600V100A,600V110A,600V120A的MOS管。
4、贴片8脚场效应管MOS管9926A20V6A双N沟道,产品广泛应用于显示屏车载LED照明无线充方案,产品型号(PartNo.):9926A。
1、现在MOS管厂家和公司都挺多的,比较好的就是FOSAN富信科技,他们成立时间长,技术实力和专业性都有保障,品质也能对标国际品牌,有需要的话,可以去他们官网看看,详细咨询一下。 具体不妨百度一下。
2、半导体方面的领袖级企业了,它的产品很好辨识,型号前缀IRF的,基本上都是他们家的。你可以到淘宝上去搜,IRF带头的功率MOS管是最多,最普及的。其他的还有日本的TOSHIBA,东芝,东芝的功率管,结型管方面都做得很不错。
3、现在来说MOS管分为几大系列:美系、日系、韩系、台系、国产。
4、台湾目前在外面大家比较知道的MOS品牌:NIKO-SEM尼克森,UTC友顺,APEC富鼎先进,ANPEC茂达 前面三家高中低都做。都没有自己的晶圆厂,都是设计公司,基本上大陆和台湾封装都有。有自己晶圆厂的UBIQ力祥,不是很有名。
5、余下要求不高的地方,例如中低价位主板、南桥芯片、某些桥接的功能芯片供电、或者PLL参考电压等位置则是台系MOS的天下,因为价格便宜。常见牌子例如ANPEC、NIKOsemi,APM3004/APM3009,P75N02。
6、不是杂牌,这是一颗N沟道增强型场效应晶体管,是台产尼克森微电子出品,NIKOS是NIKO-SEM的缩写。下图是这款MOSFET的参数表。
1、这些大功率的进口的比较多,台湾也有几个品牌。这个有20A,29A,30A,33A,34A,38A,45A,600V47A MOS管,50A,55A,60A。海飞乐技术封装这些MOS。
2、海飞乐技术有很多规格参数:20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。 封装有:TO-220,TO-247,TO-3P,SOT-227。台湾工研院技术支持。
3、mos管型号如下:增强型mos管:采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管:其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
耗尽型N沟道的MOS管有:BSP149,BSP135,BSS229等高耐压的 英飞凌品牌的。
耗尽型场效应管 :具有一个或多个在电气上与沟道相互绝缘的栅极的场效应半导体器件。
即:N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号,你可以在网上搜一下,有MOS管型号对照表。
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