二极管的死区（什么是二极管）

发布时间：2023-09-05

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硅二极管导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。

死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压。

一般硅二极管的死区电压约为0.5V。死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。

.锗材料二极管的正向导通死区电压约为0.2V不到，一般导通后的压降按0.2V计算；硅材料二极管的正向导通死区电压约为0.6V，通后的压降按0.7V计算。

通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。

因为实际应用的二极管并不是理想的，所以会有门槛电压和通态压降。

硅二极管的死区电压约为 0.6伏，正向导通压降约为0.7 伏。

硅管的死区电压约为0.7V。硅管（也称为硅二极管）是一种常见的半导体器件。它通常具有一个正向工作区和一个反向截止区。当硅管处于反向偏置时，需要达到一定的电压才能使其进入截止状态，此电压被称为死区电压。

绪二极管的死区电压是0.2V。硅二极管的死区电压是0.5V，锗二极管的死区电压是0.2V。硅二极管的导通电压是0.7V，锗二极管的导通电压是0.3V。

一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。

一般来说，小功率硅二极管的死区电压大概是0.5V，导通电压为0.6-0.7V，反向饱和电流一般是uA这个数量级。

硅材料二极管的死区电压约为0.5V，正向导通压降UF约为0.7V 。 1：P型半导体其多数载流子为空穴，掺入微量的3价，硼，镓等。

二极管的死区（什么是二极管）

1、硅二极管是半导体器件中应用最为广泛的一种，尤其在电子元器件中扮演着重要的角色。在硅二极管的工作中，存在着死区电压概念，是指当二极管正向偏压或反向偏压小于一定值时，二极管不会导通，这个电压就被称之为死区电压。

2、整流整流二极管主要用于整流电路，即把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管都是面结型，因此结电容较大，使其工作频率较低，一般为3kHZ以下。

3、故正向电流很小，几乎为零；当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，电流增长很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压；其大小与材料及环境温度有关。通常锗管的死区电压约为0．2V，硅管的死区电压约为0．5V。

4、导通电压就是死区电压，只不过应用的场合不同罢了。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫导通电压。锗管0.3左右，硅管0.7左右。

5、二极管的应用整流二极管利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。