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常见的有这些2N7000、2N700IRF510A、IRF520A、IRF530A、IRF540A、IRF610A、IRF620A、、RF630A、IRF634A、IRF640A、IRF644A、IRF650、IRF654A、IRF720A、IRF730A、IRF740A、IRF750A、IRF820A、IRF830A。
AM2321P是MOS管，P沟道 20V (DS) MOSFET，封装为SOT23-3。
海飞乐技术有很多规格参数：20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。 封装有：TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227。台湾工研院技术支持。
有100V，200V，300V，400V，500V，600V的电压。
其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
mos管型号如下：增强型mos管：采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管：其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
耗尽型N沟道的MOS管有：BSP149，BSP135，BSS229等高耐压的 英飞凌品牌的。
耗尽型场效应管 ：具有一个或多个在电气上与沟道相互绝缘的栅极的场效应半导体器件。
即：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号，你可以在网上搜一下，有MOS管型号对照表。
mos管型号如下：增强型mos管：采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管：其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
IRFU0IRFPG4IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。
选择场效应管主要是看两个参数：所能承受的最高电压和最高电流。 也就是耐压和耐电流。
场效应管4102STP80NF70参数：TO-220，ST，DIP/MOS，N场，68V，98A，0.0098Ω，最大耐压68V。场效1653应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
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