光耦降额参数（光耦调电压）

发布时间：2023-09-05

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1、入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。1入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值.。

2、“潮光光耦网”专注品牌光电耦合器。国内首家专注光电耦合器的平台。

3、最大工作温度： TLP350最大工作温度为70℃，而TLP350H最大工作温度为110℃。隔离电压： TLP 350隔离电压为3750Vrms（最小），而T LP 35 0 H 的隔离电压为5000Vrms（最小）。

4、采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。

5、TLP521和TLP621一般情况下可以直接互换。导通电流稍有差别。一般的光耦参数：正向压降VF。正向电流IF。反向电流IR。反向击穿电压。结电容CJ。反向击穿电压。光耦的选择里，电流转换比是一个很重要的参数。

6、光耦at350功能引脚电压如下。①④为空脚。②光耦前端发光管的正极，③发光管的负极。⑤光耦后端的电源负极，一般接电源地。⑧为电源正极。⑥⑦为光耦后端输出引脚。

1、光电耦合器用得太多，是时候总结一下了。仅以个人应用为出发点。光耦分类分两类：非线性光耦和线性光耦。非线性光耦：适合于开关信号的传输（高低电平），不适合于传输模拟量。实际中常用。

2、光电耦合器可以组成高压稳压电路；光电耦合器可以组成门厅照明灯自动控制。

3、(1) 在逻辑电路上的应用光电耦合器可以构成各种逻辑电路，由于光电耦合器的抗干扰性能和隔离性能比晶体管好，因此，由它构成的逻辑电路更可靠。

光耦降额参数（光耦调电压）

光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。

它的具体参数如下：正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。

HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器，采用 4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择。

光耦817B导通电流最小是130mA，最大是260mA，正向压降为6V，最大耐压为35V。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

PC817的集电极供电电压在实际电路中通常是按5V来设计的，因为这符合参数手册给定的条件。PC817的基本参数：集-射极电压额定值Vceo为35V，Ic为50mA，Pc为150mW。

光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat）。

HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器，采用 4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择。