mos管模拟电路（mos管开关电路原理图）

发布时间：2023-09-05

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为什么要让电流镜所有管子工作在饱和区？这句话是针对mos管来说的，因为当mos进入饱和区后，其电流方程为I=0.5k(w/l)(Vgs-Vth)^2 ， Vds对电流影响可以忽略。因此要求mos的镜像电流源要工作在饱和区。

饱和区：三极管放大电路中，当Ic增大时，Uce将相应降低。到Uce小于Ube时，Ubc大于0，集电结正偏，所以由基区扩散到集电区的电子，扩散能力下降，也就是说集电结的收集电子能力下降，所以IC几乎不变。

场效应管的状态不同：夹断区也称为截止区，此时MOS（场效应管）管为截止状态；饱和区也称为放大区，MOS管用作放大元件时，都工作在这一区。场效应晶体管简称场效应管。

MOS工作在饱和区。模拟电路中会有一些当做开关用的MOS，与数字电路类似，会工作在三极管区。还有一些特殊的用法会让MOS工作在亚阈值区。当然MOS关断的时候也就会工作在截止区。上述大小比较都是绝对值的比较。

饱和区域。在饱和区域，mos管的输出电压基本上保持不变，而输出电流基本上由负载电阻决定，mos管的输入电压对输出电压和电流的影响较小，因此它被广泛用于放大器、开关和逻辑门等数字电路中。

mos管模拟电路（mos管开关电路原理图）

1、根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。

2、判断管子，关键是要理清楚符号，场效应管有6个不同类型（NJFET、PJFET、增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS），符号，特性都不同，这部分只能靠记（多看看熟了也行）。

3、P沟道MOS管开关电路图：MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

4、其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。

5、P沟道增强型MOS管的衬底必须与源极相连，而漏心极的电压Vds应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面附近形成导电沟道，栅极对源极的电压Vgs也应为负。

1、从分析Ibq入手：Vcc=RbIbq+(1+β)IbqRe+0.7 Ibq=13/(100K+202K)≈0.04mA Icq=βIbq=4mA Ⅴce=12-4(10+2)0 三极管处于饱和状态。可以加大Rb(或Re)，以减小Ibq使其进入放大区。

2、首先去除D，因为其Uce=20v，大于Uceo=15v。再看其它的，因为晶体管的耗散功率PCM=Uce*Ic。给定值为PCM=100mW，图C因为6（v）*20（mA）=120（mW），大于给定值，不能正常工作。

3、稳压二极管稳压电路设计方法：一取稳压管的稳定电压Vz等于输出电压Uo（或负载电压UL）。若没有与Uo相等的Vz标称值，则选Vz标称值与Uo最相近（通常是Vz标称值略大于Uo）的型号。本题，Vz取5V（或1V）。

4、最后需要将Solver Configuration模块，把这个模块的唯一输出端连接到电路的任一处即可。在仿真之前按Ctrl+E调出参数设置菜单设置仿真精度等。具体可以参考matlab的help文件，里面有具体的例子。

5、第一题先不考虑6V，5V由于D4反偏，不导通。加上6V。3K电阻只是限制电流，不理。假设D4导通，那么D4阳极就是 5+0.7=2V。那么D1D2D3导通，则A点=4V。D4阳极就是1V，D4反偏截止。