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mos管dgs（MOS管DGSbta41600s）

发布时间：2023-09-05
阅读量：26

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51单片机控制P沟道MOS管控制5v1.6a的负载

型号好像给过吧，类似 SI 2301 ， 或 AO 3401之类的，SOT-23封装的很多种都可用，如果你原来用的插脚封装（TO-92 ？）的，貌似就少一些，应该也不难找。

去掉其中一个负载才可以导通，单片机输出恢复到正常的低电平，－－－ 这个问题，恐怕是电路问题，仔细检查电路吧。－－－ 以低电平、拉电流方式来控制5V的外设，是个正确的方法。

单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。

对MOS管的控制很简单，看你是PNP还是NPN管，也可以你的外部链接，但是程序只有一样的，就是，可以使用对应引脚的高低电平来实现控制，也可以通过PWM波来控制，具体看你的应用即可。

R5+LED1 可以换成需要控制的 负载，电压根据负载电压。如果控制电流比较大（ 3A ) 可以用右图， R5+LED1+LED2+LED3 可以换成需要控制的 负载，电压根据负载电压。

是P沟的好，这样控制可以共地，处理起来方便；IRF5305可以，不过却有20A电流的话，建议两个并一起使用，那样安全多了。

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MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚?

1、测量5N60C好坏时，首先将万用表量程开关调至二极管档，将5N60C的G极悬空，用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极，若是好的管子，万用表显示为“OL”，即溢出（见上图）。用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。

2、用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。

3、可以用测电阻法测量场效应管的好坏，用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

4、数字万用表用二极管档”蜂鸣档“，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测量结果只有一次有读数，并且在500左右。

5、第一步：将万用表置于二极管档测量，用红表笔接控制器负极，黑表笔依次测量控制器主线中的黄、绿、蓝线，读数约在500左右（数字万用表），三次读数应基本一致。

各种mos管都是GDS的顺序吗?如果不是,都是有什么样的顺序?

G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

可以用万用表测量场效应管的好坏。使用万用表二极管导通档，从左至右一般都是GDS排列，量最右边管脚S到中间脚D是否正向导通，但不短路，量左边脚G与右边脚S是否相互不导通，如此则为好的N-MOS。场效应管英文缩写为FET。

栅极，源极，漏极。mos管的三个电极之间有一个沟道，称为沟道效应，正确顺序为栅极，源极，漏极，在大多数的半导体器件中，由于制造工艺的限制，沟道的宽度都比较窄。

输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。

用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。然后调换红黑表笔，再去测量D-S两极，则万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降（见上图）。

都可以。但是如果封装对应了某种引脚次序的原理图，那么就不能随便了。假设封装1---D，2---S，3---G，那么原理图库也只能选择这种次序的器件库。

关键词：mos管

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