multisimmos管（multisimmos管参数怎么看）

发布时间：2023-09-06

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1、晶体管元件库。在软件《multisim》的介绍中可以了解到，该软件的中场效应晶体管位于晶体管元件库。《Multisim》是美国国家仪器有限公司推出的以Windows为基础。

2、(12). 选中“N沟道耗尽型MOS管(MOS_3TDN)”，其“元件”栏中有9种规格MOSFET管可供调用。 (13). 选中“N沟道增强型MOS管(MOS_3TEN)”，其“元件”栏中有545种规格MOSFET管可供调用。

3、双击BJT图标出现对话框。点击Editmodel，出现含有β参数显示BF的对话框。修改β参数。再次点击已修改参数之前或之后的部分，使整行呈深颜色显示，同时对话框下边的changepartmodel由灰暗变为清晰有效。

4、。COMS库：COMS型数字电路如74HC00 74HC04等MOS管电路。8。MCU Model： MCU模型，Multisim的单片机模型比较少，只有8051 PIC16的少数模型和一些ROM RAM等 9。

multisimmos管（multisimmos管参数怎么看）

做如下一个电路，用DC扫描分析，（simulate | analysis | DC sweep）描V3，输出V1电流，适当设置开始电压、终止电压和步长。

选择.ac分析，输出添加一个表达式，表达式为输出变量除输入变量。适当修改纵轴和横轴格式。分析就可以弹出曲线窗口了。放大倍数为2的最大输出为±6V的放大电zhi路。Vo=2Vi（Vo≤6v）一个电压比较（鉴定）电路。

双击BJT图标出现对话框。点击Editmodel，出现含有β参数显示BF的对话框。修改β参数。再次点击已修改参数之前或之后的部分，使整行呈深颜色显示，同时对话框下边的changepartmodel由灰暗变为清晰有效。

MULTISIM中三极管输出特性曲线是仿真出来的，具体方法如下：⒈放置三极管符号2N3904。⒉放置IV特性分析仪表图标。⒊双击IV特性分析仪表图标，打开其显示面板。⒋在显示面板右上角的选项框三角符号，在下拉列表中选择BJT NPN。

用multisim也可以获得二极管的U-I特性图，不过电源要使用可以扫描的电源，最简单的是交流电源，见图1。R1是电流取样电阻，用双踪示波器A通道显示取样电阻电压，表示电流；B通道显示VR。图2 是特性曲线。

1、首先在Simulink中新建“New Model”，搭建无源单相全桥逆变电路，如下图所示。对单相全桥逆变的触发脉冲电路，如下图所示。其中，载波模块和调制波模块的参数设置分别如下：（调制波频率为50Hz，载波频率为5kHz）。

2、双击三极管，弹出对话框，在“参数”一栏中点击“编辑模型”，能看到参数，Bf表示正向放大倍数如下图：最后还讲一下其他参数的意思：Is=xxf 反向饱和电流。

3、当然从测试参数可以得到SPICE参数，这叫参数抽取。你给的这几个参数其实远远不够，这不是一个三极管的参数。如果一定要设置的话，在SPICE参数中BF基本就是电流放大倍数。双击元件打开特性窗口，打击edit model，修改。

1、MOSFET的开关控制电压是v(gs)。因此，V1应该加在Q1的g和s之间，而非g和地之间；Q2的d和g位置反了，V3不能加到Q2的g和s之间，故不能控制Q2的通、断；而且Q2内部的寄生二极管会将Q1导通的电源电压短路到地。

2、应该是没有地哦，仿真软件是不能没有地的哦，你那个地只能算是一个模拟地符号而已，不能代表电位零点的，电路没有参考点，“三个横杠”的才可以的。

3、仿真步长太小了。在 simulate | interactive simulation setting中把步长改大点就可以了。

4、你V3与V1V2直接并联不好吧，是应该串一小电阻比较好。