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1、这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结,而二极管本身就是有一个PN结形成的,所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。
2、MOS管有电容效应,栅极串电阻是调节RC常数,控制管的开通延时,电阻上并联二极管,是为了及时让栅极的电荷释放掉,是管子正常关闭,这种二极管要用快恢复二极管。
3、由于MOS管工作频率比较高,所以它的寄生二极管工作频率也要高,就是说它的反向恢复时间很短(Trr),所以也就相当于一个快恢复二极管了。
4、不是栅-漏吧,应该是漏-源才是。这个是在制造过程中,MOSFET的源极金属板将二次扩散的N+区和P区连在一起,而等效出来的二极管。这个管子的存在对于MOSFET的静态和动态特性都有影响。PS:不是故意加上去的。
5、这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向,没有这个二极管。
6、一般是起保护作用,并且一般采用反向二极管或者稳压二极管。
二极管不解释,三极管开关工作时工作在饱和状态,此时需要UceUbe,你可以找个电子镇流器,那里面的三极管你量下。MOS比较复杂,我记了4页笔记,主要是电路图,MOS是MOSFET ,有耗尽型和增强型,又分P沟道和N沟道。
因为稳压二极管的内阻很小,可以等效为电压源。
二极管等效电路是指为了分析的方便,把二极管等效为一种可定量计算的另一电路。
这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结,而二极管本身就是有一个PN结形成的,所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。
MOS管的单向导通其实就是起到了隔离的作用,其本质就是类似于二极管。但是,其本身和二极管还是有所不同的,当使用二级管时,使用二极管时,会产生压降,所以经过二级管的电压会发生变化。
1、MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应,即当PN结处于反向偏置状态时,其电阻非常大,电流几乎为零。而当PN结处于正向偏置状态时,其电阻非常小,电流可以通过PN结流过。
2、MOS管的原理是基于场效应的,即通过控制栅极电场强度,改变半导体中载流子的浓度,从而调节电路的电流。MOS管的结构由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成。
3、由于扩散作用使多数载流子在浓度差梯度的方向上集中从而形成少数载流子的注入-迁移现象。pn结的反向击穿当外加电压超过一定值时,少数载流子的数量超过了多数载流子数量的两倍时就会发生反向击穿而使二极管损坏。
4、MOS管的原理:它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。
5、一般来说,MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大,然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。
6、工作原理:MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
1、用单片机的输出口连接MOS管的控制极,MOS管与发光二极管串联后接到电源。用程序使单片机输出口的相应位置0或置1,即可控制发光二极管的亮灭。
2、MOS导通以后,当输出电压达到一定值后,或者DS电流达到一定值以后,会使G11导通,从而使G12截止。此时线圈78电势也将反向,加速G12截止,并维持一定截止时间。G12的电荷可通过C3和G11泄放。
3、在MOSFET电路中加入瞬态抑制二极管的步骤如下:首先,确定MOSFET的电源电压和工作电压,以及瞬态电压的最大值。其次,选择合适的瞬态抑制二极管,根据其额定电压和最大承受电流来确定二极管的参数。
1、它的名字叫二极管接法,但是并不是像二极管一样具有整流特性,它具有的特性只是二极管正向导通时候的样子,就表现出一个小电阻似的小信号特性。
2、MOS管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏MOS管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
3、这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向,没有这个二极管。
4、MOS管做二极管都是在大电流场合做反接保护的,内阻低,都是毫欧级的。
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