mos管米勒平台（mos管米勒平台形成原因）

发布时间：2023-09-06

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1、在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率。

2、对电流的控制能力有影响。跨导表明了栅极电压对屏极电流的控制能力，跨导越大，说明三极管栅极电压对屏极电流的控制能力越强，可以理解成类似晶体三极管中的电流放大倍数，跨导越小则反之。

3、放大倍数为83—91，一般来说，放大倍数受环境影响较大，本题选83，也可以选择B91。

4、ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。

5、小功率的收信管，控制栅电压每变化一伏，屏流从变化几百微安发展到如今的几十毫安(笔者手中有一对SOVTEK的6C45P其S=45mA/V)，使电子管的放大能力有了极大的提高。

6、同时，正常漏电流的存在会造成系统漏电保护装置误动作，使电机不能安全、可靠运行。此外，共模电流产生的传导共模电磁干扰（Electro- magnetic Interference， EMI）会影响其他电子设备正常运行。

1、我只要再28VOUT端加上大电容后，不管G极电压变化MOS管一直处于导通状态。如果28VOUT端不加大电容后，MOS管随G极电压变化能起到开关作用。请问这大电容到底影响了什么东西。

2、当G加上电压后就会给这个电容充电，当G上的电压撤掉后若G悬空电容的电荷是不能马上放掉的，实际上G极的电压仍然存在一段时间，所以不会马上截止。

3、要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G，S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C，故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。

4、MOS管是由电压驱动的，但MOS管GS极之间有个小“电容”，给这个电容充电需要一定的时间，原则上充电过程越快越好，慢了会使MOS管发热，严重了会直接烧坏。

5、多个mos管并联使用极间电容导通电阻具有正温度系数，具有并联均流的影响。mOS管适合并联使用，还可以降低损耗。但同时，一个或者几个管子坏了，会出现其他管子电流过大的状况。

6、一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。

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1、当B增加时引起线圈内的磁通量发生改变，进而产生感应电流。

2、这么简单的控制一个气门开闭的时机就制造了膨胀比大于压缩比的效果，因此相比传统的奥托循环发动机，废气蕴含的能量得以再次充分利用，这也就是为什么现在车企们都喜欢用米勒循环发动机的原因之一。

3、这主要是因为指数函数有一个非常重要的特征，就是“无记忆性”。这个性质比较抽象，就拿百度百科的回答数来举例子好了。

1、我们知道MOS管是压控器件，不同于三极管是流控器件，但是实际上MOS管在从关断到导通的过程也是需要电流（电荷）的，原因是因为MOS管各极之间存在寄生电容Cgd，Cgs和Cds，如图4所示。

2、MOS的体积小，输入电阻大，噪声低，功耗低，易于集成。这些性能远比三极管要好，三极管的关键问题在于管子损耗太大，效率低。

3、你好：——★MOS管属于电压控制器件，它的输入阻抗非常高，很容易感应静电而击穿。所以应该采取措施加以保护。——★请看附图。...图中100K电阻和9V稳压二极管作保护，可以把感应静电限制、消除。

4、MOS导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。