mos管短接（mos管短路）

发布时间：2023-09-06

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1、图画的有问题。MOS管的D、S极应该是与变压器的主绕组串联在一起，而不是并联关系。220V交流整流后的直流正端先经变压器的主绕组的一端，从另一端出来后到MOS管的D极，然后从S极到220V交流整流后的电源负端。

2、因为负载电流经过MOS管时，在管子内阻上产生了电压降。

3、理论上讲是可以的。但是有些场效应管内部在DS间反向并联了一个续流二极管，就不行了。

4、当成开关的时候，VdsVgs-Vth，这时候沟道在D极没有截断，所以沟道的导电率（电阻率）和Vgs成一定线性关系。当工作在饱和区时，沟道在D极被截断，Mos管的D极和S极之间呈电流源的特性。

mos管短接（mos管短路）

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

1、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

2、G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

3、较为简单的方法是两管并联：分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联，最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻，如图所示。其中RR4由漏极电流决定，使其上的压降1V左右即可。

4、这种高频开关降压方法几乎没有能量损失，效率一般在95%以上。

5、MOS管只有四个引脚，即漏极、栅极、源极和衬底。NMOS和PMOS的接法是不一样的。NMOS：漏极→输出信号、栅极→输入信号、源极→低电平(或地)、衬底→低电平(或地)。

6、很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。MOS管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS，栅极串多大电阻均能导通。

关键词：mos管