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贴片光耦817(贴片光耦怎么测量好坏)

发布时间:2023-05-23
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817光耦怎么测量好坏

用另外一个电表来测量“3”“4”端的电阻,断开或者接通输入端,当输出端的电阻有大幅度的变化时,说明光耦是好的。反之,则说明是坏的。

用万用表调到电阻档,在另一输出端,测量电阻值。断开前级电源无穷大(一般是兆欧级别),接通前级电源电阻值急剧变小则代表光耦是好的。否则是坏的。

将表拨至测量电阻档(200k),两只表笔连接光耦两端,然后在光线比较慢的地方,用LED光源照射光耦,此时,观察数字万用表,数字如果变化了,说明光耦就是好的,数字不变的,就是坏的。

贴片光耦816可以替代817吗?

这是不可以替代的,因为他们二者之间没有着太大的区别,那么后者是有极强的优化。

光耦816和817的差别:输出部分的耐压不一样:PC817输出部分的耐压Vce0为35V,PC816输出部分的耐压Vce0为70V。其他的两者之间几乎没有差别。光电耦合器在多种电子设备中的应用非常广泛。

参数几乎一模一样,光耦816反向耐压Vceo=70V,光耦817反向耐压Vceo=35V略低,频率同80KHz。光耦合器(opticalcoupler,英文缩写为OC)亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。

光耦pc817坏了是可以替换jc817的,这两种光耦参数及引脚都一样,只是不同的厂家型号前缀不同。

PC817的隔离电压是5000V,在光耦中已经是最高了,目前为止,没有光耦的隔离电压在5000V以上。

光耦817参数谁知道?急!!!

1、光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。

2、光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。

3、pc817光耦要多大电流驱动?pc817光耦一般电流控制在5~20mA,最大50mA。用5V电源驱动,可以串联电阻R=5/0.01=500R,所以你可以选择电阻200R~1K,建议取值330~510R。

4、光耦817B导通电流最小是130mA,最大是260mA,正向压降为6V,最大耐压为35V。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。

5、光耦816和817的差别:输出部分的耐压不一样:PC817输出部分的耐压Vce0为35V,PC816输出部分的耐压Vce0为70V。其他的两者之间几乎没有差别。光电耦合器在多种电子设备中的应用非常广泛。

6、因为这符合参数手册给定的条件。PC817的基本参数:集-射极电压额定值Vceo为35V,Ic为50mA,Pc为150mW。实际工作中,集电极供电电压可在额定值以内选用,只要注意实际的Vceo*Ic≯Pc就行。

817光耦详细参数

光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。

光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。

它的具体参数如下:正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。

光耦781和817的区别

1、HCPL-817描述说明 HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器,采用 4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择。

2、光耦不可以替代817光耦。根据查询相关信息显示781光耦和817光耦峰值正向电流不同、作用不同、应用不同。

3、峰值正向电流不同 光耦PC817:光耦PC817的峰值正向电流(ICE max)为1A。光耦PC817B:光耦PC817B的峰值正向电流(ICE max)为5A。

817光耦参数

1、光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。

2、光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。

3、它的具体参数如下:正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。

4、参数几乎一模一样,光耦816反向耐压Vceo=70V,光耦817反向耐压Vceo=35V略低,频率同80KHz。光耦合器(opticalcoupler,英文缩写为OC)亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。

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