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三极管深度饱和（肖特基二极管怎么测量好坏）

发布时间：2023-09-06
阅读量：30

本文目录一览：

为什么三极管的深度饱和电压降是0.2伏

三极管在饱和状态时，集电极压降未必是0.3V，而是集电极电流的函数，电流越小，电压越低，最低可以达到mV数量级，电流大时达到几伏也是可能。因为饱和时也是有内阻的，尽管它未必线性变化。

三极管在饱和状态的压降是跟它的饱和深度及集电极电流的大小有关。一般驱动电流Ib越大，管子饱和越深（在一定范围内），其饱和压降越小；在相同的Ib下，集电极电流越小，管子的饱和压降也越小。

深度饱和时，发射结正偏，集电结也正偏，但此时Uce并不为0，一般最小在0.3V左右，即饱和管压降。

三极管临界饱和与深度饱和问题

1、因为，在饱和状态，IC只和VCE有关，已经不受基极电流IB的控制了。临界饱和或者深度饱和都是这样的。

2、三极管是电流控制器件，当Ib确定时，可能得到的最大Ic=βIb。而实际的Ic受电路元件的限制（比如共发射极电路Ic=(Vcc-Vce)/Rc，肯定小于Vcc/Rc)，当实际的Ic小于可能得到的Ic时，即进入饱和状态。

3、当三极管的基极电流增加而集电极电流不随着增加时就是饱和，假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5mA，用除以该管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于50μA就可以饱和。

4、三极管饱和后，UCE很小，但不会等于0。刚使三极管进入饱和那叫临界饱和，对应的基极电流叫基极临界电流。

5、临界饱和电压），三极管完全进入饱和，当UCE小于0.3V时，三极管进入深度饱和。如果是大功率管，则UCES会增大，一般是2-3V。从定性角度看，一楼说的没错，当三极管进入饱和且程度不断加深时，UBE会增大，而UCE呈下降趋势。

三极管饱和工作原理??

1、当基极电流增大到一定程度时，集电极电流已大到极限（已经不会明显增大），此时的工作状态就是饱和。

2、在晶体三极管中，发射结正偏，集电结也正偏，集电极电流不受基极电流控制的区域，就是晶体管饱和区。在此区域内，VCEVBE，βIBIC，VCE≈0.3V 。

3、三极管工作原理如下：在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量。

对于三极管饱和状态的理解

1、饱和的实质正是由于集电结正偏而使Ic脱离了与Ib的线性关系（请复习三极管构造）。三极管的饱和状态，是包括Ic趋于0的状态的，这一点请自已体会、理解。

2、饱和的条件：集电极和电源之间有电阻存在，且越大就越容易管子饱和；基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较c电压高的情况。

3、一方面。三极管的饱和状态也就是三极管的输出电流饱和——输出电流不随输入电流而改变的一种状态，即输出电流恒定、只决定于输出回路的电源电压和负载电阻的一种状态。因此，在饱和状态时仍有电流通过正偏的集电结。

请问什么是三极管的饱和深度?

当三极管的基极电流增加而集电极电流不随着增加时就是饱和。饱和电流由集电极电阻和发射极电阻决定，饱和电流的大小与三极管无关，一般当ce电压小到0.4V时三极管就饱和了。

随着基极电流逐步增大，三极管的集电极电流已经不随着基极电流变化而变化；Ube≥Uce。这时候的状态就是“深度饱和状态”。

饱和的含义：集电极电流是随着基极电流的增大而增大的，当集电极电流增大到一定程度时，再增加基极电流，集电极电流不再随着增加了，这种现象就叫做饱和。

在晶体三极管中，发射结正偏，集电结也正偏，集电极电流不受基极电流控制的区域，就是晶体管饱和区。在此区域内，VCEVBE，βIBIC，VCE≈0.3V 。

饱和：在外加Vce= V1 不便的情况下，增大Ib 直到Ic 不再明显增大，也就是放大倍数减小，此时为饱和。深度饱和：继续增大Ib， 进入深度饱和。

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