包含三极管be接电阻的词条

发布时间：2023-09-06

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1、两个作用：R1和R2构成分压，可以用来限制在输入电压大于一定值时才使三极管导通。在输入电压为未知时，比如说单片机的IO为高阻态时，用R2下拉，使得三极管截止。

2、B、E间是一个二极管，不是一个电阻。如果是NPN型三极管，则B为阳极、E为阴极；由于二极管的单向导电性，表现为E-B之间有一个很大的阻值，而B-E之间的阻值则较小。

3、因此在这种场合三极管是起开关作用，而不是放大作用。在这种应用场合，最好的方式是不用任何电阻。三极管基极直接接单片机输出脚，完全由单片机输出脚决定基极电流的有无；发射极接地，集电极直接接数码管。

4、为基极提供电流的，使得三极管能正常工作，在特性曲线的中间位置。好像和放大倍数没什么直接的关系。

用指针万用表1k档测量的话，be间电阻大约在3~5kΩ，bc间电阻也是3~5kΩ，ce间电阻在10MΩ以上。

三极管引脚之间的电阻值小，在30欧姆以下。阻值取决于电路设计和实际测量结果。三极管R315是一种NPN型晶体管，具有高电压和大电流的特点，广泛应用于功率放大、开关控制和信号放大等领域。

以9013，9014为例，用MF-47型万用表R*1K档测量，Rbc=Rbe=5kΩ。Rcb，Rce，Reb.Re均为无穷大。换用*1，*10，*100档位测量，反向电阻都是无穷大，正向电阻值的读数大约是5，50，500。

并且还要看是硅管还是锗管。例如：硅管：PN结的正向电阻大约3--10kΩ，反向电阻大于500kΩ；锗管：PN结的正向电阻大约500--2000Ω，反向电阻大于100kΩ；（用此法还可以判断硅管和锗管）。

rbe=rbb’+(1+β）(re+re)，这个电阻和工作状态有关，具体的说和滞留工作点有关。一般估算是，150~350都是合理的，工程应用时并没有统一的标准。

不是一个绝对的数值，没有确定值，它随着三极管的管压降的不同而不同。例：同一管子，漏电流为10微安，管压降为5伏，这时管子的电阻为5伏/10微安=500千欧；但当管压降为20伏时，它的电阻就成了20伏/10微安=2兆。

我都解释下，偏置电阻Rb=(Ube-0.7v)/Ib，Ib*β=Ic，Ic=(Uc-0.7)/Rc。

首先确定你用的电源电压，比如15v，还有想要的集电极工作电流的范围，比如是0到10ma，这时候就可以确定集电极电阻和发射极电阻的总值了，即是：15v/10ma=1500欧姆。确定了总值，然后就是确定两个电阻分别是多少了。

这个电阻是为了提高可靠性的泄流电阻。原则上，当前及三极管的漏电流流过该电阻时，在其上产生的压降要小于三极管基涉极的导通电压。

我估计你所提到的三极管电路是工作在开关关态的电路吧。。15欧姆的电阻是驱动电阻，是需要的。5欧的电阻是采样电阻，也是需要的。

基极与发射极是一个等效二极管的PN结，这个PN结的电阻大小，和三极管的型号及容量有关系。一般情况下，正向电阻不超过100欧姆，反向电阻大于10千欧吧。

你的电路有问题，当你的9013导通后，集电极相当于接地也就是0v左右，那么你的9012的e-b极间电压为电源电压3v，那么9012将烧毁，正确做法是，在9012的基极中再串一个100k以上的电阻即可保证9012的安全，电路又可正常工作。

包含三极管be接电阻的词条

1、因此在这种场合三极管是起开关作用，而不是放大作用。在这种应用场合，最好的方式是不用任何电阻。三极管基极直接接单片机输出脚，完全由单片机输出脚决定基极电流的有无；发射极接地，集电极直接接数码管。

2、两个作用：R1和R2构成分压，可以用来限制在输入电压大于一定值时才使三极管导通。在输入电压为未知时，比如说单片机的IO为高阻态时，用R2下拉，使得三极管截止。

3、是个负反馈，加大了输入的阻抗，输入的阻抗=结电阻+泻流电阻*放大倍数，基级电流稍加大，E极电流就有几十倍的放大，大的电流在泻流电阻的压降会很大，把E极的电位抬的很高，又阻止了B级的电流继续加大。

4、入门级或者菜鸟级这东西是不会的。在 MOS电路中经常可以看到，也被用于三极管电路，用于改善和稳定三极管发射结的导通特性，使BE之间的压降更稳定。带有自举电阻的三极管电路常用于电平转换方面。

5、一般为稳定直流工作点的作用。是不是起信号放大作用，由于信号的变化会对直流偏置造成影响，使信号不能满幅放大。所以在此接一个电阻。