行业资讯

行业资讯

通过我们的最新动态了解我们

首页 行业资讯
返回上一级

mos管参数详解（mos管规格型号）

发布时间：2023-09-06
阅读量：38

本文目录一览：

.MOS管、快恢复二极管、三端稳压管主要参数是什么?

1、·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2、最大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。

3、输出电压：4．8V－5．2V；输入电压：不大于36V；最大输出电流：1．5A；输入输出压差：2V。用78／79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少，热及调整管的保护电路，使用起来可靠、方便，而且价格便宜。

4、ir---反向恢复电流iR---反向总瞬时电流ISB---二次击穿电流Is---稳流二极管稳定电流IV---谷点电流Izk---稳压管膝点电流IZM---最大稳压电流。

5、稳定电压Vz：稳定电压就是稳压二极管在正常工作时，管子两端的电压值。这个数值随工作电流和温度的不同 略有改变，既是同一型号的稳压二极管，稳定电压值也有一定的分散性，例如2CW14硅稳压二极管的稳定电压为6～ 5V。

6、因此可以用快恢复代替普通二极管，不可以反过来代换。二极管的主要参数正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。

碳化硅MOSFET选哪家？

扬杰科技 扬州扬杰电子科技股份有限公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的杰出厂商。

从碳化硅肖特基二极管到MOSFET，三安集成在3年时间内便完成了碳化硅器件产品线布局。在保证器件性能的前提下，提供高质量高可靠性的碳化硅产品。

这是国内首条6英寸碳化硅生产线，获得了国家“02专项 ”、国家发改委新材料专项等国家重点项目支持，是中车时代电气的重点投资项目之一，实现碳化硅二极管和MOSFET芯片工艺流程整合，成功试制1200V碳化硅肖特基二极管功率芯片。

清纯半导体是国内碳化硅领域最优秀的初创公司之一，团队拥有行业内最丰富的碳化硅设计和制造经验，公司成立仅一年多时间即完成SiC MOSFET产品研发并通过车规认证，产品性能比肩海外同行，有望在电动车主驱等环节率先实现国产化”。

MOS管封装与参数有着怎样的关系,如何选择合适封装的MOS管

1、法则之四：选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能 影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

2、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

3、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

关键词：恢复二极管 快恢复二极管 mos管

上一篇：电位器图形符号（电位器图形符号 怎么区分123脚）下一篇：三极管损坏（怎么判断3极管的好坏）
返回列表
相关新闻

一点销电子网

Yidianxiao Electronic Website Platform

Tel：0512-36851680
E-mail：King_Zhang@Lpmconn.com
我们欢迎任何人与我们取得联系！
请填写你的信息，我们的服务团队将在以您填写的信息与您取得联系。
*您的姓名
*电话
问题/建议
承诺收集您的这些信息仅用于与您取得联系，帮助您更好的了解我们。