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mos管参数详解（mos管规格型号）

发布时间：2023-09-06
阅读量：38

本文目录一览：

.MOS管、快恢复二极管、三端稳压管主要参数是什么?

1、·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2、最大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。

3、输出电压：4．8V－5．2V；输入电压：不大于36V；最大输出电流：1．5A；输入输出压差：2V。用78／79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少，热及调整管的保护电路，使用起来可靠、方便，而且价格便宜。

4、ir---反向恢复电流iR---反向总瞬时电流ISB---二次击穿电流Is---稳流二极管稳定电流IV---谷点电流Izk---稳压管膝点电流IZM---最大稳压电流。

5、稳定电压Vz：稳定电压就是稳压二极管在正常工作时，管子两端的电压值。这个数值随工作电流和温度的不同 略有改变，既是同一型号的稳压二极管，稳定电压值也有一定的分散性，例如2CW14硅稳压二极管的稳定电压为6～ 5V。

6、因此可以用快恢复代替普通二极管，不可以反过来代换。二极管的主要参数正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。

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MOS管封装与参数有着怎样的关系,如何选择合适封装的MOS管

1、法则之四：选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能 影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

2、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

3、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

关键词：mos管 快恢复二极管 恢复二极管

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