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1、入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。
2、有光耦。在Multisim14中，在ActiveComponents或PassiveComponents元件库中找到光耦元件，通过拖拽的方式将其添加到电路图中进行仿真和调试。
3、multisim10里有光耦元件，如图所示：Multisim是美国国家仪器（NI）有限公司推出的以Windows为基础的仿真工具，适用于板级的模拟/数字电路板的设计工作。
4、首先查一下这几个元件有没有设寄生参数，比如电阻里有没有等效串联电感什么的。第二看看元件的模型有没有问题，尤其值得怀疑那个开关。
5、optocoupler。multisim是一个搭建图纸的软件，光耦可控硅在optocoupler里面，可以模仿不同品质的硅材料。工程师们可以使用Multisim交互式地搭建电路原理图，并对电路进行仿真。
6、multisim中二极管常用参数 （1）最大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。
以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。
在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的。种类光耦光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。
其作用原理是将普通光耦的单发单收模式稍加改变，增加一个用于反馈的光接受电路用于反馈。
1、另外，不考虑“更为稳定，隔离电压更高”的要求，TLP521是可以完全替代PC817的。
2、可以。光耦522和pc817二者参数基本相当，性能上也都基本是一样的，可以互相代换。PC817常用在开关电源中，线性度好一点。
3、TLP521是可以完全替代817和2501，后两个不能完全替代521，要求不严的一些消费类电源上，还有智能电表上这几个都是一样用的。可以百度“潮光光耦网”国内最专业的光耦网站，去查询一下这几个型号的DATASHEET。
4、虽然两个是常用的光耦，但是他们的参数有一个最主要的不同就是耐压！vceo pc817的vceo只有35v，tlp521的是55v。能不能代换要看你的具体应用，你先判断你的应用，光耦ce脚间电压不超过35v。就基本能代用的。
5、应该可以的，PC817常用在开关电源中，线性度好一点。
6、pc817光耦可以带换p521光耦的，PC817常用在开关电源中，线性度好一点。光耦CE脚间电压不超过35V就基本能代用的。光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
可以互相代替。TLP521是可以完全替代817和2501，后两个不能完全替代521，要求不严的一些消费类电源上，还有智能电表上这几个都是一样用的。
可以用常用的S8550、9012代替 A991，用S8050、9013代替C2002，注意脚位有区别。可以用常用的PC847代替PS2501-4。如果没有PC847也可以用4个PC817代替。
可以用光耦817来替代，光耦817应用广泛，主要应用于电源设备上，隔离高低电压的用途。相关的终端产品应用包括家电、温控、冷气空调(HVAC)、贩卖机、照明控制装置、充电器与交换式的电源供应器。
1、TCXO温补晶振是通过其附加的温度补偿电路使周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。它的温度补偿的原理呢就是通过改变振荡回路中的负载电容，使其随温度变化来补偿谐振器由于环境温度变化所产生的频率漂移。
2、温补晶振1即温度补偿晶体振荡器（TCXO），是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。
3、温补晶振属于有源晶振，它是在普通晶振的基础上，加了一个温度补偿网络，它主要分为模拟温补晶振和数字温补晶振。
4、温补晶振，TCXO，普通的振荡器内置温度曲线补偿电路，频率稳定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能做到+/-2ppm。消耗电流一般小于几十mA。是最常见的高精度的产品。在通讯终端中很常见。
输入特性光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有： 正向工作电压Vf（Forward Voltage）Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。
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