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1、就是控制变压器的输出抽头的触点，可以通过继电器，接触器，可控硅等实现。可以通过变频器原理的调压技术，实际上就是一个可调输出电压的逆变器。要控制可控硅的导通角要首先有过零检测电路。
2、可控硅调速电路输入的是直流电，通过一个滤波电容稳定电压。
3、在交流电每次过零点的时候，在0-10ms之间内做个延时，比如在交流每次过零点后延时3ms，3ms后触发可控硅的导通就行。改变延时的时间即可改变负载得到的电压大小。
4、需要有过零检测电路或者同步电路，还需要有触发电路，触发电路相当于一个延时电路。既：过零时开始延时，延时到发出触发脉冲。最典型的导通角触发电路是单结晶体管触发电路。
5、用单片机可以控制可控硅在DC电路中的导通与关闭。具体电路我可提供。问题是你要求的开关频率太高了，所以你还是用场效应，或达林顿阵列吧。回复时注明可控硅回路的电流，和导通与关闭的时间。
6、MOC3021是即时触发的，不带过零检测，使用这种光耦触发可控硅，在开启的瞬间，电流冲击会在电网上形成一个负跳变，幅度由电流的大小决定。这种跳变多了，电网自然就不干净了。所以，如无必要，还是用带过零检测的了。
1、单片机控制单向可控硅必须用光耦隔离。你是仿真还是实物，实物必须用光耦，仿真就无所谓。下图是仿真图，可控硅控制的电源用直流代替了，只是原理图。实物接法类似，以此为参考。
2、单片机控制可控硅，必须要用光耦。再要看可控硅，是单向的，还是双向的。单向的可控硅可用P521光耦。双向可控硅，用MOC3083光耦。
3、用继电器可以免去隔离了，而且控制也容易，单片机控制一个三极管，再由三极管去驱动继电器，如果继电器很多的话，用三极管有点麻烦，就用ULN2803，一片可以控制8个继电器。
4、CON接51单片机IO口，低电平可控硅开通，高电平可控硅在交流电过零时自动关断。
5、-07-16 51单片机怎么通过控制可控硅间接控制电加热丝 1 2011-06-24 51单片机控制可控硅的程序，C51和汇编都可以。
6、需要利用交流电的作触发信号，单片机生成延迟脉冲，不必使用pwm 注意是调节过零后的延迟时间，再出脉冲。
MOC3081是带过零触发的可控硅驱动光耦，这个带过零触发的意思一定要搞明白。MOC3081只能控制可控硅打开，不能控制关断。可控硅触发导通后，是靠过零关断的。通常市电交流电是50Hz的正弦波。
可控硅靠电流过零而关断（除可关断可控硅外）。双向可控硅触发导通后，电源电压过零时，可控硅关断。当有外加电压前提下，再触发，可控硅就再次导通。
用单片机可以控制可控硅在DC电路中的导通与关闭。具体电路我可提供。问题是你要求的开关频率太高了，所以你还是用场效应，或达林顿阵列吧。回复时注明可控硅回路的电流，和导通与关闭的时间。
如果需要快速通断，那么可控硅也是不能直接使用的。交流电和脉动直流除外。在直流电路中，可控硅一旦开启就无法关闭。除非外部电压消失。当然，现在已经有可控制关断的可控硅。但是对价格不清楚。24V3A电路的总功率是72W。
1、V3A电路的总功率是72W。功率并不是很大。可以使用IRF系列的场效应管控制。如常用的IRF630。耐压200V，通过电流最大9A。完全可以控制这个24V3A的家伙。注意要做好散热。
2、朋友，比如可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，可控硅共有三个PN结，分析原理时，可以把可控硅看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。 当可控硅阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
3、可以的，可控硅的触发电流不大。需要选择合适容量的可控硅和适当的散热器。
4、不合理，因为相差太大，控制不稳定，输出波形太尖；而且一旦失控，220V的电压直接加在发热管上，后果很严重。最好是把220V变压到20-30V左右，再用可控硅控制。见图，单片机检测交流电的过零点，控制可控硅的导通角即可。
1、用单片机可以控制可控硅在DC电路中的导通与关闭。具体电路我可提供。问题是你要求的开关频率太高了，所以你还是用场效应，或达林顿阵列吧。回复时注明可控硅回路的电流，和导通与关闭的时间。
2、可控硅调速电路输入的是直流电，通过一个滤波电容稳定电压。
3、MOC3081是带过零触发的可控硅驱动光耦，这个带过零触发的意思一定要搞明白。MOC3081只能控制可控硅打开，不能控制关断。可控硅触发导通后，是靠过零关断的。通常市电交流电是50Hz的正弦波。
4、可控硅实现交流电调压实际是调功，一般有两种方案1，调节单位时间内交流脉冲个数。2，是通过控制可控硅的导通角来调节电流大小。全导通为180度，一般工作在60到140度左右 一般第二种方式比较常用。
5、单片机控制单向可控硅必须用光耦隔离。你是仿真还是实物，实物必须用光耦，仿真就无所谓。下图是仿真图，可控硅控制的电源用直流代替了，只是原理图。实物接法类似，以此为参考。
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