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从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
1、用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
2、再改用万用表r×1ω挡，将负表笔接漏极(d)，正笔接源极(s)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。
3、档位不变，将G极和D极短接，表笔接法不变，显示的电阻值应该非常小、接近零。如果是这样，表面上看管子是好的。P沟道场效应管，需要将红、黑表笔反过来接，其余步骤相同。
4、(3)金属氧化物场效应管的好坏判别 用万用表Rxlkll挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值。
5、这种方法只适合n沟道场效应管。而P沟道场效应管则红笔和黑笔对就行了。如没有万用表可以用直流电源测试，方法如下：用12V一下直流电都可以，首先电源负极接S极，然后正极接12v的电灯泡。
1、首先判断MOS三个极，中间为G极，两根线相交为S极，单独引线为D极。接着判断N沟道，由S极指向D极的为N沟道。继续判断P沟道，由D极指向S极为P沟道。
2、一般主板上采用的场效管大多为绝缘栅型增强型N沟通最多，其次是增强型P沟道，结型管和耗尽型管一般没有，所以在代换时，只须在大小相同的情况下，N沟道代N沟道，P沟道代P沟道即可。
3、指针表判断N-P沟方法（10K档）：N沟MOS管：红表笔接（D），黑表笔接（S），指针满偏。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。
把万用表换到测量二极管的挡位！2找出MOS管内的体二极管，D/S极找到，G极确定，左到右依次是ＧＢＳ。3判断是N沟道还是P沟道。
若测得某两极之间的电阻值接近0Ω，则说明该管已击穿损坏。另外，还可以用触发栅极（P沟道场效应晶体管用红表笔触发，N沟道场效应管用黑表笔触发）的方法来判断场应管是否损坏。
先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。
做完以上准备工作后，按以下三个步骤操作，即可判断控制器好坏。
N沟道MOS场效应管好坏的测量方法 用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。
测试步骤：MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。其步骤如下：把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。
跨导外推法基于FET的特性曲线，通过测量FET的输出电流和输入电压之间的关系来确定阈值电压。
示波器测电压的方法：示波器钩针接被测电压，黑色的夹子夹“被测电压的地”（使示波器和被测电压有一个公共的参考点）。示波器的探头通常有“×1”和“×10”两种衰减形式，“×1”情况下不进行衰减。
在波形图上测量到ID=0.1uA时，VGS=0.356V，那么VT（ci）=0.356V；ID=1uA时，VGS=0.467V。在波形图上测量到gm（max）=26u，此时VGS约为0.675~0.679V，就取。
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