pmos管选型（mos管选型表）

发布时间：2023-09-06

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驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为：I=cvf，考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f。

首先，MOS管发热的原因是什么？MOS选型不合理，内阻较大，或者是封装导热性不好，导致温升较高。散热效果不好，MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。

在用示波器测试过程中，要特别注意这两个测试点的波形，在逐步升高输入电压的时候，如果发现峰值电压或者峰值电流超过设计范围，并注意MOS管发热情况，如果异常，应该立刻关闭电源，查找原因所在，防止MOS管损坏。

MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。

功耗，功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。电路中通常指元、器件上耗散的热能。功耗同样是所有的电器设备都有的一个指标，指在单位时间中所消耗的能源的数量，单位为W。电路中指整机或设备所需的电源功率。

建议你不要用换管的方法解决。换管会使主板失去保修。管子发热大小，与管子的规格没多大关系，也就是说换了也解决不了发热的问题。

1、三极管BJT与场效应管FET的区别很多，简单列出几条：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。

2、区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。

3、MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

4、军工级芯片：一般范围为-55℃至+150℃；要根据产品的使用场合选择合适的芯片根据开关频率选择三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数，如果是用在高频电路中必须考虑开关管的响应时间是否满足使用条件。

5、三极管和MOS管做开关用时可用以下两种方法来区别。工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。

1、这是一个电机驱动电路，MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。

2、R96电阻是下拉电阻，目的是没有信号时，输入端于地连接电压接近零。R95电阻有两个作用，输入来的信号分压，和输入电流限流。DO输入的高信号有效。

3、这个电路有很大的问题。首先负载应该挂在MOS的D极上，而不应该挂在S极上，也就是说：要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时，gs之间的电路是48V，超过了其最大耐压为20V。

4、在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

pmos管选型（mos管选型表）

Vgs就是栅极对源极的电压，如果源极直接接地，栅极电压就等于Vgs。

如果都用源极作为参考点的话，那么可以写成电势差Vgs-Vds 的形式。即临界时，Vgd=Vgs-Vds=Vth，即Vds=Vgs-Vth 这就是推导过程。

过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。1）只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。