mos管级联（mos管连接方式）

发布时间：2023-09-06

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1、可以。普通MOS的G极驱动电压要求达到4V，电流几乎没有要求，所以用51单片机是可以直接驱动的。但具体使用的时候有些地方要注意：mos管分P沟道和N沟道，驱动时要考虑极性，另外，直接用51驱动，开关速度不能太高。

2、答案是可以的！具体请参考如下分析：不过MOS驱动，有几个特别的需求 1，低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。

3、应该不行，既然用单片机处理，那么一般希望mos管工作在开关状态。因为mos管是电压驱动原件，饱和导通时电压一般在10V以上，而单片机一般的供电电压是小于等于5V的。

功率MOS管由三层构成：门（gate）：控制导通的电压。源（source）：向负载（load）输出电流。漏（drain）：接收负载的电流。当门电压超过源电压时，功率MOS管就会导通。当门电压低于源电压时，功率MOS管就会断开。

MOS结构：主要由栅极，漏极及源极三部分构成。工作原理：通过栅极控制沟道载流子浓度实现对源极及漏极电流的控制。BJT结构：由发射极，基极，集电极构成。

两层结构由绝缘体作为左侧层和半导体作为右侧层。这种结构的一个例子是MOS 电容器，它是一种由金属栅极触点、具有体触点的半导体本体（例如硅）和中间绝缘层（例如二氧化硅）组成的双端子结构，因此指定O）。

因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。

输出尽可能大的功率。本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。

较为简单的方法是两管并联：分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联，最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻，如图所示。其中RR4由漏极电流决定，使其上的压降1V左右即可。

右边三条线表示漏极（D），衬底（B），以及源极（S），NMOS从上到下是D，B，S，PMOS从上到下是S，B，D 是的，串联的时候，相邻的两个极需要连在一起。接到VDD的是PMOS，接到VSS的是NMOS。

小方块应该是打的过孔吧，比如说金属1连到栅的（M1-Gate）的孔，这样方便后面的连线。源和漏不能从管子的栅上面过，只能先接出来，再用一根长线连在一起，一般用M1，用M2的话又要打孔了，就会出现你说的小方块。

只需将相同极连接即可，越近越好，还要注意散热片位置尽量共用。

如图所示。无论是几输入与非门，都是NMOS管串联，PMOS管并联。

本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。

：这种是常见的正电源开关mos接法，一般电源都是负端开关，但是这是正端，所以需要2个场效应管。2：QP1 栅极需要和漏极电压（vcc）一致时才会关闭，那么R5的存在是必须的，它可以关断QP1。

你的“背靠背连接”是指什么意思？如果是两个管子并联，就是加大电流，用两只管子代替一只管子，提高驱动能力。如果是复合管连接，就是增大管子的跨导，即增大放大能力。

这个方法也适用于三极管的判别（NPN、PNP）。在上图中我们可以看到右边都有一个寄生二极管，起到保护的作用。那么根据二极管的单向导电性我们也能知道在电路连接中，D和S应该如何连接。

你确定是nmos么，如果是，用万用表测量D到S的电阻或者np结电压，如果电阻很小，就是mos的ds击穿了，换一个mos管试一试，如果是np结电压在0.7v左右，那可能是选了个pmos带反向保护的。

mos管级联（mos管连接方式）