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在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。
上图为MOSFET桥电路,结构比较简单,不再赘述。强调一下,各个MOS管的GS极到GDT板之间的引线,尽可能一样长,但应小于10cm。必须采用双绞线。
导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。
先确定MOS管的引脚:先对MOS管放电,将三个脚短路即可;首先找出场效应管的D极(漏极)。
为什么当mos管 的gs没有电压后,ds依然连通。 看图吧。mos管测试好的,g和任何不连通,ds正》1反接0... 看图吧。
1、放大状态:当输入信号电压为高电平时,mos管的集电极电位由低向高变化,这时集电极电流i2增大。饱和状态:当输入信号电压为零时,mos管处于截止状态;此时集电极电流很小。
2、mos管的开通和关断会产生交变电压。当场效应管(MOS管)被关闭(关断)或开启(开通)时,因为MOS管在开启和关闭的过程中,其输入电阻会不断变化,从而导致D-S(DraintoSource)间的电荷和电流发生变化,从而产生交变电压。
3、可以形成的输出也就越高。MOSFET打开的时间越短,储能元件中能量约小,形成的输出也就越低。 这就是MOSFET改变电压的原理。具体还得找几个电路进行分析。如果BOOST、BUCK电路,都是最基本的。
4、MOS管每次测量完毕,G-S结电容上会充有少量电荷,建立起电压UGS,再接着测时表针可能不动,此时将G-S极间短路一下即可。 目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。
5、当栅极电压超过门限电压时,源极和漏极完全导通,其导通电阻只有几十毫欧,几乎相当于短路,这样使得MOS管可以作为电子开关使用,几乎没有导通压降,Uds实测值通常为mv级,Id电流处于最大状态,主要取决于负载等效电阻大小。
1、缺少保护电路。一般来说电路中应适当设置保护电路,以吸收电路中的瞬间高压、浪涌电压,保护关键元件。参数选取不合理,没有余地。效应管的耐压、电流都应该流有一定的余地,以保证正常使用。
2、电源的话开机烧MOS管有很多原因:开机瞬间Vds太高超过管子耐压导致击穿;驱动能力不足,导致管子没有完全导通,导通电阻太大热死;如果是桥式拓扑,有可能驱动的死去时间不够,导致上下管直通短路烧死。
3、通电的MOS场效管通电的介资纯度不够,导制电阻变大,温度升高,我们知道,超导现现象是在低温下实现的,所以在低温下,导电介质是低阻抗的,一旦通电由于通电介质纯度不高,电阻很高,P=U*I*R,就会烧坏管子。
4、他的栅极是从氧化膜引出的,栅极与源极、漏极是绝缘的,MOS场效应管的栅极与衬底之间隔着一层氧化膜,如同电容器结构一样,但栅极与衬底之间的电压超过一定限度时,就会引起氧化膜的击穿,导致UPS电源MOS场效应管烧毁。
5、烧掉无非就是过电压、过电流,所以在选择时也要选品质有保障的品牌,也要认真选型!富信电子FOSAN这个牌子他们官网有对应的规格书,管子这块他们家还是让我非常值得信任的、都是国标芯片。
1、笔记本主板短路有两方面的可能,主板本身绝缘不佳,可能是主板上有外来金属件(如螺丝)导致短路。
2、主要用万用表量一下供电电路有没有对地短路,另外主要检查靠的近的焊盘之间有没有短路。
3、一般常见原因是由于供电控制芯进水或损坏,导致MOS管G极失去控制信号(MOS管不可以在没有供电芯片时直接加电,否则直接导致击穿损坏)。如果遇到MOS管损坏的故障,要综合考虑故障原因,防止更换后依旧短路,导致后级元件烧毁。
4、是过流。原来不通的,由于耐压不够或耐热不够而导通了,是击穿,被电流穿透的意思。击穿因局部漏电致局部温升、温升加剧漏电形成雪崩而造成。击穿的结果状态一般是导通;过流的结果状态一般是断路。
5、根据个人经验来看应该是CPU的供电MOS管击穿短路了,检查的办法是先拔掉CPU附近的12V4脚供电线再开机,若能开机风扇转的话那可以确定是CPU周围的MOS管坏了。若还是点不亮那只能说是主板报废,没维修价值了。
关键词:mos管
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