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1、mos管是电压控制型器件，只需在栅源极之间施加合适电压，沟道即可开启。在沟道开启时，需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电，让沟道尽快开通，这个电流往往是a级的。
2、A。根据查询百度百科信息显示，贴片mos管电流8A，贴片MOS管具有尺寸小和轻量化的优点，用于紧凑空间和轻量化产品的设计。
3、通常发射结的面积比其它结的面积都小，而且结面也比其它结更靠近表面，所以常常观察到的是发射结的退化。此外，击穿电压高于100V或漏电流小于1nA的pn结(如JFET的栅结)，比类似尺寸的常规pn结对静电放电更加敏感。
1、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。
2、优质的MOS管能够承受的电流峰值更高。一般情况下我们要判断主板上MOS管的质量高低，可以看它能承受的最大电流值。影响MOS管质量高低的参数非常多，像极端电流、极端电压等。
3、MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。
4、使用MOS管的注意事项 1)为了安全使用MOS管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
具体到Irf540N，2～4V是基极导通电压的最大和最小值，是直流电压，低于这个电压管子不导通，类似断路。高于该值时管子导通，最大基极偏压Vgs不能超过20V，实际工作时的Vgs应选在4V到20V之间，注意Vgs越大，输出电流越大。
可以的，n沟道导通电压是.07V，加一伏特是可以的。同理，p沟道是-.08v导通，回答完毕。
这个mos管做的电子衰减器电路。vcc你在3v以上随意挑选方便的电压接入。此电压只要大于mos管的开门电压就可以，电压影响衰减时候的步进，直接的感觉是调整时候的音量变化大小。
使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压VT 。
它通常包括供电电压的选择和电源的管理功能。供电电压一般取得比较低，实施芯片的低电压供电，通常有3V，25V，I8V， 0.9V等，在同样的时钟频率下，它们的功耗将远远低于5V供电电压的芯片。
1、MOS管导通是在其栅极（G）端施加高电平，而源极（S）和漏极（D）之间的电势差超过了临界电压时发生的。因此，如果我们想让MOS管导通，需要将G端连接到高电平电源。
2、NMOS（ AO4614 ）的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适宜用于源极接地时的情况（低端驱动），只需栅极电压抵达4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适宜用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
3、PMOS增强型管：uG-uS0 ， 且 |uG-uS||uGS(th)| ， uGS|th|是开启电压；NMOS增强型管：uG-uS0，且 |uG-uS||uGS(th)| ，uGS|th|是开启电压；PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。
1、N沟道的MOS管导通只要Vgs大于其开启电压Vth即可。但其阻抗R=1/K（Vgs—Vth—Vds），所以在MOS管做好后，其阻抗与Vg成反比。
2、指的是开启电压，最小0.6V，最大2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。
3、一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。
4、VGS(th)是开启电压，含义是在GS间加上这个电压，MOS管的DS之间就可以有电流流过，不再是截至状态。由于每个管子这个电压存在区别，所以制造商规定了最小值和最大值，就是说合格品的开启电压都在这个范围以内。
1、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。
2、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。
3、MOS管是驱动部分的开关管。主要关注耐压，耐流值。还一个就是开关速度。
关键词：mos管
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