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在不考虑体电阻的情况下,只要栅源电压大于开启电压,MOSFET是可以双向导通的,此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性,不过两个方向的电阻特性并不完全一致。
场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就可以了。
反向也是可以通的,当MOS管导通,D和S端就相当于一个电阻。可以参考用MOS搭的直流电压防接反电路,可以看出导通方向是S到D,不是D到S。
是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压,那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通,当然,对于PMOS也一样。
可以,只是在正常的驱动电路上把D和S交换位置即可,是MOSFET导通,不通过体二极管,同步整流的MOSFET都是这么接的。就像下面这个简图。
在不考虑体电阻的情况下,只要栅源电压大于开启电压,MOSFET是可以双向导通的,此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性,不过两个方向的电阻特性并不完全一致。
在不考虑体电阻的情况下,只要栅源电压大于开启电压,MOSFET是可以双向导通的,此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性,不过两个方向的电阻特性并不完全一致。
场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就可以了。
反向也是可以通的,当MOS管导通,D和S端就相当于一个电阻。可以参考用MOS搭的直流电压防接反电路,可以看出导通方向是S到D,不是D到S。
和上一问一样,只有栅极和源极接正向电压才能导通,而且不能超过20V。接负电压和接0电压一样,都会截止。对。选用开启电压低一些的,Vdss>5V,Idss>100mA即可,可以用AO3400。
从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压,所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中,CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管,而内存插槽共用一组MOS管。
它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。
1、mos管用作了可双向导通的开关,工作在开关状态。
2、放大状态:当输入信号电压为高电平时,mos管的集电极电位由低向高变化,这时集电极电流i2增大。饱和状态:当输入信号电压为零时,mos管处于截止状态;此时集电极电流很小。
3、主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压,所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中,CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管,而内存插槽共用一组MOS管。
根据在门极(G)和主端(T1)间的正或者负的初始电流脉冲的不同,一般的四象限双向可控硅的门极允许在两个方向上都可以导通。
是在坐标系里设定的。电流流入电流 为正 流出为负 触发电流流入为正,流出为负。这样就出象限了。 所以就是相对。你也可以反过来 但是就变成 第三象限了。
在不考虑体电阻的情况下,只要栅源电压大于开启电压,MOSFET是可以双向导通的,此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性,不过两个方向的电阻特性并不完全一致。
关键词:mos管
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