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可控硅也称为（可控硅又称为）

发布时间：2023-09-07
阅读量：27

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晶闸管的结构?

晶闸管的结构 目前大功率晶闸管常用的外形结构有螺栓式和平板式，它具有三个PN结的四层结构，其外形、结构和图形符号如图所示。

结构：晶闸管由PNPN四层半导体构成，由阳极，阴极和控制极组成。特点：晶闸管可以在高电压大电流的环境下运行，其在运行过程中可以调控，具有硅整流器件的特性。

三相异步电动机的结构，由定子、转子和其它附件组成。 （一）定子（静止部分） 定子铁心 作用：电机磁路的一部分，并在其上放置定子绕组。

可控硅和三极管有什么区别

1、不一样的。虽然都是三条腿的家伙，但各自的功用是大不相同的。三极管分：NPN型硅、锗管。PNP型硅锗管。管脚分基极b、集电极c和发射极e。其主要作用是电流放大、小电流控制大电流等。晶闸管俗称可控硅。

2、可控硅主要应用于无触点开关，调速，调光，稳压，变频等方面。可控硅的结构：内部有相互交叠的4层PN区组成，有三个PN结，三个电极，即阳极A 阴极K 控制极G .三个PN结实际构成了两个相互连接的三极管。

3、可控硅，阳极与阴极间有两只反向PN结，用表测量电阻极大；只有门极与阴极是PN结，正反间电阻相差很大；只要电极间符合这个现象的，那就是可控硅了。

4、三极管与可控硅是两码事；三极管具有放大作用，就是基极输入的电信号，可以有倍率的放大；而可控硅是没有这个作用的，在控制极上给信号，可控硅就导通，可以把它看做一个可控制导通和断开的二极管。

什么是可控硅开关?

可控硅开关也即是俗称无触点开关丶用双向可控硅丶或者单向可控硅为开关器件，具有开关速度快丶带负载能力强，功耗小，无噪声等特点。广泛应用于各种自动化控制电路中。

可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。

可控硅是一种可通过小电流来控制大电流的无触点开关；与继电器不同的是，它可以通过改变控制导通角来达到调压的目的；它还分为交流可控硅和直流可控硅，前一种在220V用的较多。

可控硅，简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。

双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。

可控硅的结构

可控硅的结构是：可(半包围结构)控(左右结构)硅(左右结构)。可控硅的结构是：可(半包围结构)控(左右结构)硅(左右结构)。注音是：ㄎㄜˇㄎㄨㄥ_ㄍㄨㄟ。拼音是：kěkòngguī。词性是：名词。

双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。

可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所示。双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。

什么是光耦可控硅

晶闸管，又称可控硅（单向scr、双向bcr）是一种4层的（pnpn）三端器件。在电子技术和工业控制中，被派作整流和电子开关等用场。在这里，介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。锁存器电路。

光耦可控硅工作原理光耦可控硅是一种可以控制电流的电子元件，它由一个可控硅和一个光耦合器组成。可控硅是一种可以控制电流的电子元件，它由一个可控硅和一个光耦合器组成。

光耦双向可控硅工作原理光耦（Optocoupler）是一种光电器件，其主要功能是将电信号转换为光信号，再将光信号转换为电信号，从而隔离两个电路之间的电压和电流。它通常由一个发光二极管和一个检测器（例如，晶体管）组成。

耐压非常低，一般工作在DC24V以内。光耦可控硅：只是用来隔离控制可控硅的专用光耦，输入端是发光二级管发光，接收端为小型可控硅，耐压非常高，可达AC300V。光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。

可控硅、MOSFET、IGBT、GTO是电压触发还是电流触发,它们在作用上有什么...

1、GTO(门级可关断晶闸管)：全控型器件 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 。

2、其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。

3、IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。

4、mosfet是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。

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