mos管串联高压（mos管串联和并联区别）

发布时间：2023-09-07

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发射模块如果两个串联使用，有一个晶体管是振荡发射，另一个是调幅调制，也就是数字调制。所以一个发热，一个正常。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

当然也是发现MOS管工作正常与否的最直接反映。

按你的电路结构IRF44的漏极输出最大只有10K/20/*24V-VGES（6V)=6V，电机一转动时产生反电势，会使MOS管脱离饱和状态进入放大区，使用当然会很热，加50ohm会加剧3的情况，电机因电压太低工作不了。

有可能是共态导通导致的，同一桥臂的上下两个管子同时导通，导致MOS管发热严重。

带软开启功能的MOS管电源开关电路这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。

MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。

另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变。后面一个推挽电路，然后给MOS。

所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。MOS开关电路 MOS和三极管相像，但是三极管属于电流驱动型，而MOS属于电压驱动型，因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压。

mos管串联高压（mos管串联和并联区别）

1、主要是灭弧用的，由一个电容与一个电路串联后，与开关并联。这样在开关通断时产生的瞬间高压，可以被电容电路吸收，有效消除接点处的电火花，延长开关接点的寿命。电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。

2、电源电路中串电容对于电路来说是起限流降压的作用；对于电容来说起增强电压耐受能力的作用，（相同容量的电容相串增加耐压一倍，而容量要减小一半）。

3、消反峰。由于开关变压器存在漏感和分布电容，开关管在由导通转向截止瞬间，会产生很高的反峰电压，容易击穿开关管，电磁干扰也较大。并上该阻容回路后，消耗了反峰能量，不致击穿开关管，电磁干扰也会减小。