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模拟电路书里讲的就是小功率MOS管的结构,所以没有这个二极管。
mos管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
名曰寄生二极管,由于器件生产时,将S源极接到衬底形成的。区别是型号不一样,参数一般也不一样。
内部有一个二极管的场效应管叫MOS场效应管。MOS场效应管全称金属(M)-氧化物(O)-半导体(S)场效应管,一般称为绝缘栅极场效应管。
mos管作为二极管原理MOS管,即金属-氧化物-半导体管,是一种三极管。它由一层金属-氧化物-半导体材料组成的沟道结构。这种结构使得MOS管具有高阻断电压、低漏电流、高电流增益等优点。MOS管主要分为两类:nMOS和pMOS。
联系 三种管都是半导体器件,经常在电器元件中同时出现。区别 节能性:MOS管是电压控制性器件,二极管三极管是电流控制性器件,因此MOS管更节能。
1、不会,这个二极管工作在反向状态,反向电流极为微弱,可以忽略不计。另外,这个二极管实际上是等效出来的,而真正的做一个二极管在上面,主要起保护,防止反向击穿的。
2、饱和状态:当输入信号电压为零时,mos管处于截止状态;此时集电极电流很小。截止状态:当输入的负偏置信号(例如地)加到mos管的基极上时,使管子导通而工作于截止区。在这种情况下输出端没有电流通过。
3、事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。
4、这主看你这漏电流的大小标准了,标准不同时就可有或没有。因它多多少少都有一点。前一个比成开关是理想化的,后一个有是实际中的。
5、MOS管导通后,反向时主要是流过沟道,因为体二极管本身有比较大的二极管压降,约为0.7V,沟道相当于把体二极管给短路了。
正德冶金:碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。
肖特基二极管封装有很多,贴片的主要有SMA/SMB/SMC/SOD123等,插件的封装主要有DO41/DO15/DO27/TO220等,品牌也有很多,国外品牌有:ON/FAIRCHILD/IR/NXP等,国内品牌有长电/鲁晶/乐山等。
TOKMAS(托克马斯)品牌碳化硅二极管品质对标CREE,性价比高,常备大量库存,规格型号齐全。
萨科微在很多年前就已经开始生产销售碳化硅器件,在电动汽车和光伏方面应用比较广泛,技术和质量在世界上属于前列,价格比科锐低30%左右,性价比还是很高的。
安森美是国际大品牌,不可否认,在品质、可靠性、稳定性方面都很强,项目如果对器件要求很高,不考虑成本的话,安森美是一个不错的选择。
1、这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结,而二极管本身就是有一个PN结形成的,所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。
2、MOS管有电容效应,栅极串电阻是调节RC常数,控制管的开通延时,电阻上并联二极管,是为了及时让栅极的电荷释放掉,是管子正常关闭,这种二极管要用快恢复二极管。
3、由于MOS管工作频率比较高,所以它的寄生二极管工作频率也要高,就是说它的反向恢复时间很短(Trr),所以也就相当于一个快恢复二极管了。
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