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1、可控硅测量好坏可根据判断可控硅控制极(G)与阴极(K或A2)性能的来判断。根据被检测晶闸管的功率大小,将万用表置于合适的电阻档,小功率的选择×10;大功率选择×100。短接两表笔较表,较对万用表指针在“0”的位置。
2、如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。 双向可控硅的检测。用万用表电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。
3、单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。
4、检查断路的方法的方法本人认为有以下几种:1,用万用表,因为可控硅的阴极和阳极之间是有电阻的,假如断路了两极之间的阻值就为无穷大了。
5、符合以上规律,说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅时,需要在万用表黑笔中串接一节5V干电池,以提高触发电压。可控硅(SCR)国际通用名称为Thyyistoy,中文简称晶闸管。
6、具体方法是:用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。
1、单向可控硅的检测:万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
2、单向可控硅测量好坏方法如下:万用表选电阻R*1Q挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
3、使用数字万用表检查可控硅 数字万用表拨至二极管挡,红表笔接某一电极,黑表笔分别 接触另外两个电极。如果其中有一次显示电压为零点几伏, 则此时红表笔接的是控制极G,黑表笔接的是阴极K,余下 的则是阳极A。
4、可根据判断可控硅控制极(G)与阴极(K或A2)性能的来判断。根据被检测晶闸管的功率大小,将万用表置于合适的电阻档,小功率的选择×10;大功率选择×100。短接两表笔较表,较对万用表指针在“0”的位置。
5、单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。
1、用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面,电阻应呈无穷大(表针基本不动),再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小,则说明该可控已损坏。
2、单向可控硅的检测。万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
3、如阳极接黑表笔,阴极接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。
4、用万用表即可判断双向可控硅的好坏,但具体参数测不出来。
单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。
可根据判断可控硅控制极(G)与阴极(K或A2)性能的来判断。根据被检测晶闸管的功率大小,将万用表置于合适的电阻档,小功率的选择×10;大功率选择×100。短接两表笔较表,较对万用表指针在“0”的位置。
判断可控硅的好与坏最简单的方法:用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面,电阻应呈无穷大(表针基本不动),再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小,则说明该可控已损坏。
单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是TT1或TG极(对双向可控硅)。
找出读书为数十欧姆的一对引脚,其中黑表笔为G极,红表笔为K极,空引脚为A极。检测双向可控硅同单向可控硅,找出数十欧姆的两个引脚,其为A1或者G极,空引脚为A2极。
1、单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。
2、判断可控硅的好与坏最简单的方法:用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面,电阻应呈无穷大(表针基本不动),再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小,则说明该可控已损坏。
3、检测双向可控硅同单向可控硅,找出数十欧姆的两个引脚,其为A1或者G极,空引脚为A2极。认真测量量引脚间的正反向电阻,读书较小的一次,黑笔接A1极,红笔接G极。
4、可根据判断可控硅控制极(G)与阴极(K或A2)性能的来判断。根据被检测晶闸管的功率大小,将万用表置于合适的电阻档,小功率的选择×10;大功率选择×100。短接两表笔较表,较对万用表指针在“0”的位置。
5、双向可控硅的好坏可以用数字万用表或等效工具进行测量。首先需要将测试电路搭建好,并且开关处于关闭状态。然后将数字万用表转换为电阻测量模式,将其测试笔分别连接到双向可控硅的两端,记录下测试读数。
6、单向可控硅的性能检测 可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。
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