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1、三极管直接和管脚相接,会被钳位在0.7V,应该加限流电阻。C1可能在后沿提供电流,致使延迟。
2、如果被控芯片没有大电流负载或者感性、容性负载的话,就没有必要使用光电隔离。即使采用光电隔离,也要看被控芯片与负载之间是如何连接的,光隔未必加在FPGA与被控芯片之间。
3、这是可以的般fpga核电压没有那么高的电流需求”有点片面。
4、V为芯片的供电电压,也可以视为芯片的电源,GND为接地。这个可以作为开发板外接显示屏,蓝牙模块等的电源来使用,一般可以不作理会,对电路没有影响,具体请参照开发板的电路图。
用光耦隔离器(如PC817),输出侧再经三极管(根据电流、Vceo选择,如TIP127)或MOS管放大驱动电磁阀。 如果不用光耦,注意Vcbo,但会有烧坏单片机IO的隐患。
很多的MOS 管都能承受24V、3A,如IRF320IRF250。
MOS管可能因为处于放大状态而导致电机速度不够,也容易烧MOS管。如用24V做驱动,MOS管栅极可接5V左右的稳压管以防过压。
用三极管不如用ULN2803,一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接,简单方便。
你的意思是,高电平时,输出7-12V变化的电压,低电平时关断输出?如果是这样,只要在输出缓冲级的输入端并联一个晶体管控制电路就可以完成这个功能。
1、用三极管不如用ULN2803,一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接,简单方便。
2、单片机输出PWM,改变其占空比来控制MOS管的导通角,从而改变灯的亮度。占空比位1和0,灯就是开或者灭。当然控制电路部分要与工作电路部分需加光耦隔离。
3、你好:你的单片机的IO是开漏输出的,因此你加的R26这个上拉电阻,但R26取值100K有点大,把R26减小如改为10K看看,如果还高就再减小。
4、单片机的IO是3V,但您把mos的栅极电位上拉到了5V。如果单片机不是开漏输出(OD门),或者单片机IO不是5V耐受(5V Tolerance)的话,这样的接法可能烧了单片机的IO。
5、单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻,发射极接地,集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作,低电平时关断。
6、V单片机驱动5V、12V继电器,不宜用mos管,MOS管开通电压较高,3V可能不会使MOS管充分导通。5V时最好用PNP管子,12V时最好用NPN管子。
V单片机驱动5V、12V继电器,不宜用mos管,MOS管开通电压较高,3V可能不会使MOS管充分导通。5V时最好用PNP管子,12V时最好用NPN管子。
Q10和Q12连起来就行了,这个是3V驱动12V继电器,你换成5V的就行了。这个是实际中用的,没有问题。
不过要求2A电流的话,图示的MOS管已经到达上限了,除非有充足的降温措施,不然稳定性不够,还是换用更大封装的管子会比较好。
见下图!考虑到单片机输出电压为5V,继电器驱动为12V,为简化电路,采用NPN型三极管驱动。但是,由于单片机高电平驱动能力一般较弱,要求三极管基极电阻稍大。
1、带软开启功能的MOS管电源开关电路 具体的分析,见文章《带软开启功能的MOS管电源开关电路》不过要求2A电流的话,图示的MOS管已经到达上限了,除非有充足的降温措施,不然稳定性不够,还是换用更大封装的管子会比较好。
2、P沟道MOS管开关电路图:MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。
3、单片机用的STC的,有3V和5V,要控制N个5V和12V的电源通断,电流2A,作用相当于电源开关,请推荐一个合适的管子,和对应电路图。
4、用三极管不如用ULN2803,一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接,简单方便。
5、如果没有的话,只用3V是不可靠的,MOS管可能因为处于放大状态而导致电机速度不够,也容易烧MOS管。如用24V做驱动,MOS管栅极可接5V左右的稳压管以防过压。
6、V单片机驱动5V、12V继电器,不宜用mos管,MOS管开通电压较高,3V可能不会使MOS管充分导通。5V时最好用PNP管子,12V时最好用NPN管子。
关键词:光耦隔离 电阻 p沟道mos管 光耦隔离器 上拉电阻 单片机驱动mos管 光耦 3.3v驱动的mos管 继电器 控制MOS管 沟道mos管 驱动mos管 拉电阻 mos管
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