光耦反应时间（光耦反应速度）

发布时间：2023-09-07

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入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值.。

输入特性光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有：正向工作电压Vf（Forward Voltage）Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。

采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。

需要考虑的参数太多了，根据重要性主要有如下几个。首先是延迟时间，这个参数影响传输度。

1、根据知乎资料显示，这款光耦参数如下：高VCEO（集电极-发射极电压）：80V MAX。输入二极管正向电压：25V。最大集电极电流：50 mA。集电极和发射极的最大电压比：80V。4引脚DIP封装和SMT封装。

2、光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。

3、光耦817B导通电流最小是130mA，最大是260mA，正向压降为6V，最大耐压为35V。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

4、pc817光耦一般电流控制在5~20mA，最大50mA。用5V电源驱动，可以串联电阻R=5/0.01=500R，所以你可以选择电阻200R~1K，建议取值330~510R。

5、光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat）。

光耦就是光电耦合器，里面封装了一个发光管和一个光敏三极管。当发光管发光时，光敏三极管的电阻值减少，发光强度大小变化时，光敏管的阻值也变化。所以可以用它来做非电气的信号耦合。

光耦是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。

光耦，即光电耦合器，结构：一般4脚的光耦，输入端跨接的是一只led，输出端跨接的是一只光敏三级管，led和光敏三级管是被密封在一个封装中的。

光耦原理是指利用光信号来控制电路的原理。它是一种新型的电路控制方式，可以实现电路的高速、高精度、高可靠性的控制。

光耦是光电耦合器，起到点信号--光信号---电信号连接的作用，可以在电气上对两端进行隔离，又能传递信号。

光耦反应时间（光耦反应速度）