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运放驱动大功率mos管(大功率mos管驱动模块电路图)

发布时间:2023-09-07
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请大神帮我分析下这个运算放大器和场效应管组成的电路图啊~~~_百度...

1、图左U1A运放与VMOS管Q2构成电压转换恒定电流电路,负载电流正比于运放U1A的输入电压Vda,即在电阻R4中流过的电流等于Vda除以R4,这个电流大小与负载电阻阻值大小无关。

2、图1 运算放大器方框图 (1)输入级 使用高性能的差分放大电路,必须对共模信号有很强的抑制力,采用双端输入、双端输出的形式。(2)中间放大级 提供高开环放大倍数,以保证运放的运算精度。

3、uA741通用高增益运算通用放大器,早些年最常用的运放之应用非常广泛, 双列直插8脚或圆筒8脚封装。

4、这类集成运算放大器的特点是差模输入阻抗非常高,输入偏置电流非常小,一般rid1GΩ~1TΩ,IB为几皮安到几十皮安。实现这些指标的主要措施是利用场效应管高输入阻抗的特点,用场效应管组成运算放大器的差分输入级。

5、这个电路应该是个积分电路,而不是微分电路,场效应管做开关用,选择是否并联多个电容以实现快速或者慢速积分。

下图中的理想运算放大器,联合了一块MOS管放大电压的原理

假设没有三极管,并将下面运放的7相连,就是一个运放跟随器,电压放大倍数=1,运放7的输出等于输入端5的电压。因为运放的两个重要特征:1)开环电压放大倍数非常大,10的n次方;2)运放的输入端内阻很大,所以输入端电流很小。

图左U1A运放与VMOS管Q2构成电压转换恒定电流电路,负载电流正比于运放U1A的输入电压Vda,即在电阻R4中流过的电流等于Vda除以R4,这个电流大小与负载电阻阻值大小无关。

它的放大原理简单说来就是,通过放大电路,MOS管的漏极可以输出一个跟随输入信号电压变化的电流。然后这个电流就在电路中的漏极电阻产生了压降。将这个压降引出就是输出电压。这个输出电压比输入信号电压扩大了许多倍。

MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

差分放大:运算放大器的基本原理是差分放大器。它具有两个输入端口:非反相输入端(+)和反相输入端(-)。当输入信号加到非反相输入端时,放大器会放大这个信号,同时通过反相输入端引入一个与输入信号相反的放大信号。

先分析一下,这个电路前面是一个运放,后面的VT1\VT2构成复合管放大(等效为 NPN型),最后结果以共集形式输出。因而三极管部分的放大倍数近似为1。

关于普通运放驱动MOS管实现高压输出的问题

1、mos管的源级电压等于pin5的电压。但送到电阻上的电流可以比较大,这有mos管的能力决定。这个电流也就是mos管的漏极输出电流。而且这个电流是个恒流。例如输出需要100mA电流,运放pin的输入电压是2V,那么电阻取20欧姆就可以实现了。

2、mos管驱动电压不足会导致mos管导通不完全,内阻增大,发热量增加。驱动电压大小影响导通电阻,电压越低电阻越大,部分情况会导致保险丝烧断应该使用P沟道管,做成共源放大电路(上面为S极),才能将电源电压满幅度输出。

3、有些开启电压较高的MOS管,还会提高驱动电压,而不使用单片机的5V供电,比如12V、15V等等。

分析一下我这个运放输出端接mos管电路中运放和mos管的工作

1、至于运放输出端的电压,会有运放自动调整,以保证从电阻上反馈到运放pin6的电压和pin5的电压相等。当然pin7的电压也是可以计算的,要看运放的电压电流特性曲线。一般mos管的栅极要比源级高6~12V。

2、当MOS管漏-源电流改变时外接REXT端的取样负反馈电阻R2上压降亦改变,由于此端同时连接运放反相输入端,最终通过与基准电压的差分比较作用让MOS管的漏-源电流恒定。

3、调节电路。运放反馈端接mos管,可以控制和调节电路输出信号改变输出,从而实现对信号的有效放大和处理,起到调节电路的作用。它也可以作为一种电路开关,控制信号的流动。

求详解:MOS管,三极管,功率管,开关管之间的联系与区别

1、区别 节能性:MOS管是电压控制性器件,二极管三极管是电流控制性器件,因此MOS管更节能。稳定性:MOS管只有多数载流子参与导电,二极管三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电,因此MOS管热稳定性更好。

2、场效应管是一种特殊的晶体管,它是电压控制的器件,而普通三极管都是电流控制的器件。开关管、功率管这些是针对用途来说的,它可能是三极管也可能是场效应管,做开关用途时就叫开关管,做大功率控制的时候就叫功率管。

3、三极管和场效应管是两种不同原理的半导体器件,但最后起的作用类似。根据不同的功能这两种都可用于做行管。你的这些概念是不同的分类方式的不同叫法,比如按功率分三极管和场管都有大功率管和小功率管,大功率管简称功率管。

4、以及大电流地方开关电路 速度:MOS管开关速度不高,三极管开关速度高 工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制 阻抗:三极管输入阻抗小,MOS管输入阻抗大。频率特性:MOS管的频率特性不如三极管。

怎么提高大功率MOS管的驱动能力?

1、在原MOS管上并联相同的管子,如果前级驱动能力不足,同样可以加强。

2、换成P沟道管。mos管驱动电压不足会导致mos管导通不完全,内阻增大,发热量增加。

3、主要是提高栅极的驱动能力。因场效应管栅极电容的影响,一般需要大于正负1A的驱动能力,栅极电阻不大于10欧,反向接二极管提高关断速度。

4、由于前端I/O口的对外驱动能力(一般为十几或者二十几mA)有限,为了提高对MOSFET的驱动能力,因此采用图腾柱电路。

5、对于恒流输出的电源,由于输出电流是恒定的Io(含误差),那么当你改变负载R时,输出功率Po=Io*Io*R,由于Io恒定,R增加,Po也增加,R减小,Po也减小。而输入功率(驱动电源的功率)是跟随输出功率变化的,你懂得的。

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