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1、rbe=rbb’+(1+β)(re+re),这个电阻和工作状态有关,具体的说和滞留工作点有关。一般估算是,150~350都是合理的,工程应用时并没有统一的标准。
2、“在Rbe与Re的的这条支路上的总电阻”这个说法不准确,应该时从b点往右看的输入电阻。
3、三极管输入电阻,就是发射结电阻,包括接触电阻 rbb,以及PN结导通等效电阻。rbb 大功率三极管一般取 200欧,小功率三极管,取 300欧。PN结等效电阻 26mV/ibq 。
4、先画出晶体管的微变等效电路 当输入信号很小时,在静态工作点附近的工作段可认为是直线。当Uce是常数时,ΔUвE与ΔIв之比称为晶体管的输入电阻。在小信号放大区,rье是常数。
5、第二个问题,当三极管基极为低电位时,其集电极反相为高电位,此时,电源经rc、输出耦合电容c、负载再到负极,为电容充电,方向为左正右负。
基极B和发射极E之间等效为一个动态电阻,集电极C和发射极E之间等效为一个Ib的受控电流源,大小为βIb。晶体管促进并带来了“固态革命”,进而推动了全球范围内的半导体电子工业。
微变等效电路:所谓“微变”,就是指被放大的信号(us)变化幅度不大时,等效出来的电路。由于三极管属于非线性元件,无法采用直接分析的方法。
有源负载放大电路主要构成元件为晶体管、场效应管及若干电阻,这种放大电路以电流源电路作为有源负载,这样在电源电压不变的情况下,既可获得合适的静态电流,对于交流信号,又可以得到较大的等效电阻,从而提高电压增益。
晶体管的输入端加交流信号vi时,在其基极将产生相应的变化电流b,如同在一个电阻上加交流电压而产生交流电流一样。因此晶体管的输入端b、e之间用一个等效电阻代替,这个电阻称为三极管的输入电阻rbe。
NPN三极管要满足放大的电压条件是发射极加正向电压,集电极加反向电压:Ube=0.7V即Ub-Ue=0.7V饱和区:当三极管的集电结电流IC增大到一定程度时,再增大Ib,Ic也不会增大,超出了放大区,进入了饱和区。
LED的发光电流一般在10毫安左右,LED的压降一般考虑5V左右,S9013的导通管压降大约0.1V,在考虑电源电压,R3的阻值以此确定。LED是普通的发光二极管,但是,你图中的LED好像接线反了。
rbe=rbb+26mV / Ib(mA)=rbb+β(26mV) / Ic(mA),ri=rbe+β(R7∥R8)。
公式rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]计算的是三极管的输入电阻,公式 rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]+(1+β)(R7∥R8)计算的是射随器输入电阻。
rbe的计算公式:rbe=rbb+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻。三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
三极管基极电流IB=(5伏-0.7伏)/10K=0.43毫安;因为β=100,所以集电极电流应该等于43毫安。
微变等效电路:所谓“微变”,就是指被放大的信号(us)变化幅度不大时,等效出来的电路。由于三极管属于非线性元件,无法采用直接分析的方法。
基极B和发射极E之间等效为一个动态电阻,集电极C和发射极E之间等效为一个Ib的受控电流源,大小为βIb。晶体管促进并带来了“固态革命”,进而推动了全球范围内的半导体电子工业。
首先,一个导通的三极管(BJT)可以看成是以下模型。基极(B)和射极(E)之间有一个等效电阻为(rπ),流过这个电阻的的电流为基极电流(IB),rπ的两端电压为vπ。
这是光电三极管的等效电路图。 当有入射光照入时,三极管导通。光电三极管和三极管的输出特性曲线类似,只是三极管的基极电流用光强来代替而已。
基极B和发射极E之间等效为一个动态电阻,集电极C和发射极E之间等效为一个Ib的受控电流源,大小为βIb。晶体管促进并带来了“固态革命”,进而推动了全球范围内的半导体电子工业。
晶体管的输入端加交流信号vi时,在其基极将产生相应的变化电流b,如同在一个电阻上加交流电压而产生交流电流一样。因此晶体管的输入端b、e之间用一个等效电阻代替,这个电阻称为三极管的输入电阻rbe。
三极管等效电路在输入信号电压很小的条件下得出的。基极B和发射极E之间等效为一个动态电阻,集电极C和发射极E之间等效为一个Ib的受控电流源,大小为βIb。
伏,两者加起来接近30伏。输出回路电源电压是12伏,明显不能提供43毫安电流,所以三极管处于饱和状态。所以计算输出回路状态是:IC=IE=12伏/(200+500)欧姆=114毫安;U0=114毫安×0.2K=43伏;UCE=0伏。
关键词:三极管等效
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