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IRFP250N：这是一款N沟道MOS场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、抗电磁干扰等特点，在冷焊机中应用广泛。
常见的有这些2N7000、2N700IRF510A、IRF520A、IRF530A、IRF540A、IRF610A、IRF620A、、RF630A、IRF634A、IRF640A、IRF644A、IRF650、IRF654A、IRF720A、IRF730A、IRF740A、IRF750A、IRF820A、IRF830A。
SOT-23，单价才几分钱一颗。耐压20V，耐流3A以上。。完全满足你的要求。。
耗尽型N沟道的MOS管有：BSP149，BSP135，BSS229等高耐压的 英飞凌品牌的。
脉冲电路及输出电路等。常用的小功率开关管有8550、8050等。常用的高反压、大功率开关管有2SD1552SD1882SD1452SD1553。SD1492SD1432SD1432SD1402SD850等，它们的最高反压都在1500V以上。
1、UC3842内部设有欠压锁定电路，其开启和关闭阈值分别为16V和10V，如图3所示。在开启之前，UC3842消耗的电流在1mA以内。电源电压接通之后，当7端电压升至16V时UC3842开始工作，启动正常工作后，它的消耗电流约为15mA。
2、UC3842 是一种 PWM 控制芯片，常用于开关电源控制电路中。其工作原理如下：控制器接收反馈信号：开关电源中，通常会通过电感和电容等元器件构成一个反馈回路，将输出电压或电流的信息反馈给控制器。
3、在开关电源中，做PWM（PWM是Pulse Width Modulation缩写， 中文意思就是 脉冲宽度调制，简称脉宽调制。..）用的，功能就是驱动开关管工作。
4、因为一般正激式变压器开关电源工作时，控制开关的占空比都取在0.5左右，而反激式变压器开关电源控制开关的占空比都取得比较小。主要就是比较难调啦。
5、UC3842好像只能作到200W功率，一般用在电动车充电器上。
6、当该脚的电压超过正常值0.3V达到1V(即电流超过5A)时，UC3842的PWM比较器输出高电平，使PWM锁存器复位，关闭输出。这时，UC3842的脚6无输出，MOS管S1截止，从而保护了电路。
1、mos管型号如下：增强型mos管：采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管：其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
2、IRFU0IRFPG4IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。
3、AO4425 38V 14A P沟道8脚贴片 AO4431 30V，8A P沟道。
4、各行业应用较多的是TO-220F（塑封），TO-220AB（铁封），TO-3P，TO-247。因为芯片大小关系，电流小的一般用TO-220，而电流较大会用TO-247的。
5、A，45A，47A，60V55A，61A，62A，69A，90A，105A，60V120A，132A，140A，152A，161A，198A，60V230A，250A，340A，380A，封装有：TO-220，TO-247，TO-252，TO-262，SO8，DFN5*6，DFN3*3，SOT-227。
1、AM2321P是MOS管，P沟道 20V (DS) MOSFET，封装为SOT23-3。
2、有100V，200V，300V，400V，500V，600V的电压。
3、第一个：全型号是IRFR5305， P沟道MOS，封装是TO-252，厂家是IR，脚位是GDS，参数是31A 55V.第二个不清楚，估计是Ni沟道MOS 20A600V GDS脚位，这个是猜的。
4、IRFP250N：这是一款N沟道MOS场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、抗电磁干扰等特点，在冷焊机中应用广泛。
5、即：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号，你可以在网上搜一下，有MOS管型号对照表。
1、这些大功率的进口的比较多，台湾也有几个品牌。这个有20A，29A，30A，33A，34A，38A，45A，600V47A MOS管，50A，55A，60A。海飞乐技术封装这些MOS。
2、V53A，600V55A，600V57A，600V60A的MOS，600V63A，600V67A，600V70A，600V72A的MOS，600V74A，600V77A，600V80A，600V85A，600V88A的MOS，600V90A，600V95A，600V100A，600V110A，600V120A的MOS管。
3、国外认知度较高的品牌相信很多客户并不陌生：英飞凌，安森美，仙童，东芝，ST意法半导体，NXP，AOS等等。
4、V5A、6A、7A、8A、600V10A的IGBT、12A、14A、600V15A、16A、19A、20A、600V22A、23A、24A、25A的IGBT、台湾HIGHSEMI的IGBT芯片，大陆封装。
5、主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。
6、海飞乐技术有很多规格参数：20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。 封装有：TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227。台湾工研院技术支持。
这些大功率的进口的比较多，台湾也有几个品牌。这个有20A，29A，30A，33A，34A，38A，45A，600V47A MOS管，50A，55A，60A。海飞乐技术封装这些MOS。
海飞乐技术有很多规格参数：20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。 封装有：TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227。台湾工研院技术支持。
mos管型号如下：增强型mos管：采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管：其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
A，45A，47A，60V55A，61A，62A，69A，90A，105A，60V120A，132A，140A，152A，161A，198A，60V230A，250A，340A，380A，封装有：TO-220，TO-247，TO-252，TO-262，SO8，DFN5*6，DFN3*3，SOT-227。
这是N沟道功率型场效应管，重要参数：源漏极电压：75V 漏极电流：80A 导通电阻：RDS(ON)=8m (typ.) @ VGS=10V MOS管的种类很多，电压区分，电流区分，功率区分。特性：耐压，过电流，最大功率，内阻。
关键词：mos管 贴片mos管 常用mos管 开关电源常用mos管
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