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用短接线将AG极间再次瞬间短接,给G极加上负的触发电压,AA2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开AG极间短接线,万用表读数应不变,保持在10欧姆左右。
可控硅电阻在16-19欧之间。根据百度百科查询,电阻过大可能造成触发电流过小,或触发电压过大.易造成无触发或触发不了。
可控硅内阻在20欧左右。根据查询相关信息显示,因为如果电阻过大,出发电流就小,使得触发导通不成功,过小触发时易烧坏,20欧合适。
到19欧之间。根据查询可控硅控制级到阴极电阻可控范围介绍显示,可控硅控制级到阴极电组是16到19欧,电阻过大可能造成触发电流过小,或触发电压过大.易造成无触发或触发不了。
1、将电阻阻值换大一点,电阻的功率也可以用大一点。
2、过压保护的次数;周围工作温度;电阻有无受挤压;是否通过品质认证;浪涌能量太大,超出吸收功率;制造厂产品质量不佳,在正常使用条件下很快损坏;使用电压偏高了,促使压敏电阻热击穿或电击穿损坏。
3、加大电阻的功率,或者减少C14的容量,103似乎太大了,我印象中那个电容不超过1000pF。
4、压敏电阻只是吸收掉瞬间的高压脉冲的。先要看你的可控硅的型号及参数是否满足你的电路要求。还要看你的电路设计的合不合理。
5、先需找出原因,是什么样的触发电路,如果是靠阳极正向电压产生的触发电流(有电阻,电位器,电容和双向二极管的那种),可能就可控硅通慢,不可靠,只要有一次不导通,电位器就要烧坏。
6、RC电路只是用于尖峰脉冲电压的吸收(平波作用),RC时间常数应和尖峰脉冲上升沿时间一致,并且要注意电容的高频响应,应使用高频特性好的。
1、不对,可控硅与三极管不同,一旦g极达到触发电平k-a极便导通,且此时不再受g极控制。
2、若保持接通a极或t2极时断开g极,指针立即退回∞位置,则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量,对于单向可控硅,闭合开关k,灯应发亮,断开k灯仍不息灭,否则说明可控硅损坏。
3、电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了。
4、晶闸管在导通后,门极已失去作用。 在晶闸管导通后,如果不断的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于a1和a1迅速下降,当1-(a1+a2)≈0时,晶闸管恢复阻断状态。
那么GK间并联电阻有什么作用呢?GK间并联电阻是为了防止误导通的,主要是为了给电流型的噪声提供一个泄放通路。
gk是标准值。根据查询相关公开信息显示:gk是按构件的设计尺寸和材料容重的标准值确定的值,可变荷载设计值qk是统一由实际基准期最大荷载概率分布的某一分位数确定。
单向晶闸管在正常情况下,AK间、AG间正反向电阻较大(在几百千欧);GK间正反向电阻小(在几百欧),并且GK间正反向电阻有差别,正向电阻小(黑笔接G,红笔接K测出的电阻),反向电阻大。
GK,GARAGEKIT的缩写,字面意思就是套装模件的意思,很多人会误解其为所有树脂材质的人型作品,但其特指的就是未涂装的模件。通常由造型师设计灰模,而后开模制作白模,因此价格一般都很昂贵。
是光控晶闸管,水电里的GK代表的是光控晶闸管,控晶闸管是一种用光信号或光电信号进行触发的晶闸管。
V。主要关心的是电流(触发电流),一般20A以下的小功率可控硅,在触发极(G)和阴极(K)之间加5V左右电压(G+,K-),串联200Ω电阻限流就可以。可控硅简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。
》100K电阻与200K电位器串联构成可控硅控制极的限流电阻,以便供给控制极的合适电流,并以R光敏电阻构成合适电流的自动调节来达到改变可控硅导通角,从而自动调节桥式整流器回路的阻抗以达到调节灯泡亮度。
一般20A以下的小功率可控硅,在触发极(G)和阴极(K)之间加5V左右电压(G+,K-),串联200Ω电阻限流就可以。
根据可控硅的触发电流Igt决定 根据可控硅的导通时间(导通速度)来决定 最重要的一点,根据你可控硅控制电路是否过零导通或随机导通来决定,这一点最重要。
1、正、反向电阻值相等或差异极小。说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结,有明显的正、反向电阻的差异。这种测量方式是有局限性的,当A、K之间已呈故障开路状态时,则无法测出好坏。
2、且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧,则必为双向可控硅。
3、判断可控硅的好与坏最简单的方法:用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面,电阻应呈无穷大(表针基本不动),再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小,则说明该可控已损坏。
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