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1、欧姆。根据统计局官网查询得知，绑线电阻寄生参数包括串联电阻和并联电阻，mos的内阻值在70到200欧姆之间。
2、欧姆和50k。根据查询相关过来信息显示，1000欧姆电阻和50k电器可用于mos管栅极。Mos管用于控制大电流通断，经常被要求数十K乃至数M的开关频率。
3、mos输入端通过电阻接地的电阻值应为4k~6k之间不能多出这个范围之内，通过电阻接电的电阻值应该就在这个范围之内，希望对你有帮助，谢谢。
1、这个简单，只要把三个电源的负极连在一起，然后在把场效应管接到模块电源中，用单片机控制场效应管的栅极就可以了。
2、解析：用单片机做PWM控制电加热器的加热功率请问控制思路可以这么考虑：加热功率的大小由输出脉冲的占空比决定，占空比大，则加热功率就大。
3、串联电阻不需要计算，取一个大点的数值就可以，因为场效应管输入阻抗很高。也许3V电压太低，不能使场效应管开启。解决方案：（1）在P0到电源之间接一个5K的上拉电阻，看看行不行。
4、微控制器可分为两大类：普通单片机和数字信号处理单片机（DSP）。根据字长，目前常见的单片机是4到32。功能强弱，适合不同场合。世界上大多数最大的半导体公司都有自己的微控制器。
5、irf540 貌似是NMOS，你用的是PMOS，接的不对。还有R21， R22阻值取得不对，你这样取MOS管应该都在导通状态，R21取个几十欧或者干脆短路就可以了。
1、导通电阻的大小是一种非线性变化，跟GS两端电压有关，如果UGS=UGS(th)时，一般这个电阻大概有几欧到几十欧，当UGS=8~10V时，这个电阻会下降到零点几欧甚至零点几毫欧，非常小。
2、Ron=1/[β(Vgs-VT)]。mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。
3、你好，MOS管DN3525N8-G导通电阻是 6 欧姆。
1、N20的栅极阈值电压(VGS)为±30V，静态漏源导通电阻RDS(on)为0.18Ω。20N20的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为20A，漏源电压(VDSS)为200V，二极管正向压降(VSD)为5V，反向恢复时间(trr)为158NS。
2、导通电阻的大小是一种非线性变化，跟GS两端电压有关，如果UGS=UGS(th)时，一般这个电阻大概有几欧到几十欧，当UGS=8~10V时，这个电阻会下降到零点几欧甚至零点几毫欧，非常小。
3、SPW47N60C3的基本性能参数 SPW47N60C3是一款高性能的功率MOSFET，具有优异的电气性能和热性能。它的主要参数包括：最大漏极电流为47A，最大漏极-源极电压为600V，最大导通电阻为0.19欧姆，以及最大结温为175℃。
MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。
看工作电压和工作频率及散热片大小，直流开通状态电流可达20A左右，工作电压可达300伏，因此输出功率可达几千瓦，但做开关电源，工作在几十KHz时，输出功率最多几百瓦。
，如果是控制LED通断，可以选择N MOS管，把5V--电阻--LED--NMOS D---NMOSS对地，G为控制脚IN7002，此方法比较简单，而且IN7002是非常常用的管子，很便宜。
方法是：红表笔接G脚，黑表笔接D、S脚，电阻值为∞时，是N沟道管；电阻值为5-l0kΩ时，是P沟道管。表笔交换，黑表笔接G极，红表笔接D、S极，当电阻值为∞时，是P沟道管；电阻值为5～l0kΩ时，是N沟道管。
大功率MOS管60N10的检测方法：准备 测量前，在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连，使人体与大地保持等电位，再把管脚分开，然后拆掉导线。
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