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只要反向耐压和漏电流满足要求,就可以用。肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。
可以。因为肖特基二极管是属于二极管的一种。肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
绝对不可以!1N5819是1A/40V的肖特基二极管,而1N5408是3A/1000V的普通整流二极管,不论是电压还是电流都不是一个数量极的,换上去绝对烧坏。
可以用任意的额定电路和电压相近的肖特基二极管来代替,比如MBR600100CT、5A、200V。整流二极管一般为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中。
肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别,通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管。使用肖特基二极管,只能用肖特基二极管代换。
肖特基光敏二极管(phototransistor)是一种由二极管和光敏电阻组成的光电器件。它的工作原理是在二极管的基极和收集极间放置一个光敏电阻。当光照射到这个电阻上时,电阻会产生电流,进而导致二极管的动态电流增加。
传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等,半导体通常为硅(Si)或砷化镓(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大,为获得良好的频率特性,故选用N型半导体材料作为基片。
就是冰包内部的制冷铝,电流由P型元件流向N型元件的接头释放热量,成为热端。所以肖特基二极管就会有一面冷一面热,肖特基二极管制冷片它要制冷,就必须要将热排走,否则就会低消制冷的效果。
正向导通压降仅0.4V左右。肖特基(Schottky)二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。常用在彩电的二次电源整流,高频电源整流中。
肖特基二极管主要优点:正向压降低,约只有一般硅二极管的一半。在下向导通时由于正向电压低消耗的二极管上的功耗也小。反向恢复时间小,比超快速恢复管还要小得多。
肖特基二极管的优点:器件本身具有很高的开关频率,而且它的反向击穿电压比较的低。同时因为技术的不断改进,对新型材料的使用,使得肖特基二极管本身充满了生机以及很强的竞争力。
肖特基二极管优点肖特基二极管具有开关频率高、正向压降低等优点,但肖特基二极管的反向击穿电压比较低,一般不会高于60V,最高仅约为100V,以致于限制了肖特基二极管的应用范围。
肖特基二极管基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。
肖特基二极管是利用金属半导体接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。作为低压,高频整流器或者整流桥,极性保护二极管,适用于紧凑型,小型的系统。
肖特基光敏二极管(phototransistor)是一种由二极管和光敏电阻组成的光电器件。它的工作原理是在二极管的基极和收集极间放置一个光敏电阻。当光照射到这个电阻上时,电阻会产生电流,进而导致二极管的动态电流增加。
肖特基二极管的作用 肖特基二极管,是一种低功耗,超高速半导体器件。最显着的特点是反向恢复时间非常短(可以短至几纳秒),而正向压降仅为0.4V左右。
1、SR5150二极管可以用MBR5H150代换。SR5150是肖特基二极管,是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
2、SR5150二极管可以用MBR5H150代换。SR5150是肖特基二极管,是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性。
3、mur1560h是快恢复二级管。快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
不可以。肖特基做不出高压二极管,通常耐压在100V以下,离“高压”概念差的远呢。
(也就是导电的原因)当产生反向电压偏置时,外界电场与自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。
肖特基二极管损坏会造成电压升高,损坏电路。二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能,即给二极管阳极加上正向电压时,二极管导通。二极管是最早诞生的半导体器件之一,其应用非常广泛。
普通硅二极管的耐压可以做得较高,但是它的恢复速度低,只能用在低频的整流上,如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电,最后导致管子严重发热烧毁。
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