3v驱动光耦（光耦的驱动电压是多少伏）

发布时间：2023-09-08

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一般电流控制在5~20mA，最大50mA。用5V电源驱动，可以串联电阻R=5/0.01=500R，所以你可以选择电阻200R~1K，建议取值330~510R。

PC817的集电极供电电压在实际电路中通常是按5V来设计的，因为这符合参数手册给定的条件。PC817的基本参数：集-射极电压额定值Vceo为35V，Ic为50mA，Pc为150mW。

输入侧就是个发光二极管，属电流控制器件，需要限制的是正向电流，不能直接加正向电压。正向工作电压可在输入特性曲线查出，通常在4V左右。

光电耦合器参数。电流传输比：50%(最小值)。高隔离电压：5000V(有效值)。符合UL标准。极限参数。正向电流(ICEO)：50mA。峰值正向电流(ICE max)：1A。反向电压：6V。功耗：70mW。集电极发射极电压：35V。发射极集电极电压：6V。

小型开关电源即可。要求不高的话简单的分压整流也可以。

①、向这问题得自己用两块 LM317和一些阻容件组装一个稳压电源，此电源从0~3V任选，最大电流5A，输入电压是4V~35V的。

当然可以啊，加一个电阻就可以了，任何电池都是有内阻的，就将电阻的两头接在电池的两头，根据U外=R+E/(r+R)=5v 可以计算出外接电阻R的大小，当然要先知道电池的内阻，不过一般的电池内阻也就零点几欧姆吧。

3v驱动光耦（光耦的驱动电压是多少伏）

1、光耦二极管端的方向耐压为：正向耐压为二极管的导通电压0.7V，反向耐压根据型号的不同，在几十伏到几千伏不等。光电二极管简介：和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。

2、.7v。光耦的导通电压是0.7v，光耦的工作部件是一个发光二级管，他的导通电压跟二极管是相同的。光耦合器简称光耦。

3、可以在光耦的一端输入脉冲波形，用示波器观看其隔离输出端是否有相应信号输出（或者反相输出）。

4、脉冲上升时间tr，下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。

1、我用的是protel99SE。至于HDI和埋芯片是什么意思我就不懂了。HDI要经过多次压合，理论上可以用钻孔替代盲孔，但是钻孔孔径较大且效率较低，无法满足HDI高密度线路。

2、美维和展华是比较早就使用INPLAN了，现在还要搞INCAM。

3、深圳爱彼电路股份有限公司(iPcb.cn)是一家专业高端PCB电路板设计研发与生产的高科技企业。

4、博敏电子：公司专业从事高精密印制电路板的研发、生产和销售，主要产品为多层（含HDI）和单/双面印制电路板。公司的产品广泛应用于消费电子、通讯设备、汽车电子、工控设备、医疗电子、智能安防及清洁能源等领域。

5、华硕b150mv主板上是有m2的接口的，采用的是IntelB150芯片组支持双通道DDR4，主板有m2的卡槽，主板上的存储接口为1乘M.2接口，所以b150mv能接m2。B150M-plus是更好的，主要从这以下方面。

6、英寸的S599配备了最新的SandForce SF-1200控制器，采用MLC NAND闪存新品，标称最大读写速度分别为280MB/S和270MB/S，性能比较中庸，可以代表SSD的总体水准，其次这款硬盘价格比较亲民，市场上走量不少，所以本次测试选择了它。