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1、强光照射光敏电阻受光面时，电阻值＜1KΩ，光敏电阻受光面遮光时，电阻值＞1MΩ。直接串联在一节干电池上是不可以的，应采用光敏电阻、电阻、三极管和发光二极管组成模拟开关电路来作感光实验。
2、电阻的单位是欧姆，用符号“？”表示。欧姆是这样定义的：当在一个电阻器的两端加上1伏特的电压时，如果在这个电阻器中有1安培的电流通过，则这个电阻器的阻值为1欧姆。
3、原因则是因为光照产生的参与导电的载流子，能够在外加电场的作用下作漂移运动，电子流向电源的正极，空穴则流向电源的负极，电阻的阻值迅速降低。
4、光敏电阻是受到不同波长的光照射时拥有不同阻值的电阻。利用这个对光敏感的特性，光敏电阻主要被运用在测量、控制和光电转换领域。
5、光敏电阻的主要参数是利用半导体的光电导效应，制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，具有体积小巧、安装简便、使用灵活等优点。我主要来介绍一下光敏电阻的主要参数，希望可以帮助到大家。
6、光敏电阻对光线十分敏感，其在无光照时，呈高阻状态，暗电阻一般可达5MΩ。当有光照时，材料中激发出自由电子和空穴，其电阻值减小，随着光照强度的升高，电阻值迅速降低，亮电阻值可小至1KΩ以下。
光敏电阻阻值随光强变化，光线越强，阻值越小。光敏电阻（photoresistor or light-dependent resistor，后者缩写为ldr）或光导管（photoconductor），常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。
在一定的范围内，入射光强度与光敏电阻阻值的关系是（光照越强，阻值越小）。说明：光敏电阻对光线十分敏感，其在无光照时，呈高阻状态。光照越强，阻值就越低，随着光照强度的升高，电阻值迅速降低。
直接关系。光敏电阻的阻值与光强之间存在直接的关系，呈反比关系当光强增大时，光敏电阻的阻值会相应减小，当光强减小时，光敏电阻的阻值会相应增大。
1、单位不同 亮电阻的单位为kΩ。暗电阻的单位为MΩ。定义不同 亮电阻是光敏电阻器受到光照射时的电阻值。暗电阻是光敏电阻器在无光照射（黑暗环境）时的电阻值。
2、光敏电阻的暗电阻越大，而亮电阻越小则性能越好。也就是说，暗电流要小。
3、光敏电阻阻值一般比光敏二极管大。光敏电阻在不工作时仍有电流流过，光敏二极管则没有。普通的光敏电阻（CDS）含硫化铅，硫化镉等重金属物，不环保；光敏二极管由硅材料组成，环保。
4、光敏电阻是受到不同波长的光照射时拥有不同阻值的电阻。利用这个对光敏感的特性，光敏电阻主要被运用在测量、控制和光电转换领域。
因为光强与电阻是反比关系，光强越大，电阻越小。
光敏电阻的阻值在有光时变小，无光时变大。三极管9014基极的导通电压为0.7V，如果有光，光敏电阻的电阻就小。它将基极除以r1和rp，得到0.7V的偏置电压，如果三极管9014的基极电压不足以导通，后面的vt2也会关断。
暗电阻=Rp/Ss(相对灵敏度)。光敏电阻的亮电阻就是有光照时的电阻，暗电阻就是没光照时的电阻。暗电阻电阻值通常1至10M。
光敏电阻器对光的敏感性（即光谱特性）与人眼对可见光（0.4~0.76）μm的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。设计光控电路时，都用白炽灯泡（小电珠）光线或自然光线作控制光源，使设计大为简化。
光照增强，光敏电阻的阻值增大。光敏电阻，入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。还有另一种入射光弱，电阻减小，入射光强，电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。
1、强光照射光敏电阻受光面时，电阻值＜1KΩ，光敏电阻受光面遮光时，电阻值＞1MΩ。直接串联在一节干电池上是不可以的，应采用光敏电阻、电阻、三极管和发光二极管组成模拟开关电路来作感光实验。
2、光敏电阻有很多的型号，但常用的就两种，一种是从100千欧左右到无穷大；另一种是从几十欧姆到无穷大。
3、光敏电阻的暗阻一般为1MΩ～10MΩ，而亮阻为几百欧姆~几千欧姆。
4、光敏电阻的阻值随光照强度而变化，由暗到强光，可由10M到数百欧，实验电路中串联电阻选用1千欧是其中间值，可提高实验数据准确性。
5、在有光照的情况下，光敏电阻的阻值大概只有几Ω~几十Ω，三极管Q1的基极是低电压，三极管Q1不能导通，所以，PNP三极管Q的基极是高电压，也不能导通，所以此时，LED不会发光。
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