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mos管关断（mos管关断时仍然有电压输出）

发布时间：2023-09-08
阅读量：56

本文目录一览：

mos管驱动需要负压关断吗?

1、MOSFET的栅极存在结电容，负压有利于更快的为结电容存储的电荷Qg，提供释放回路，从而加快开关速度。但是过快的开关速度会影响EMI。

2、实验中为了可靠关断，可以加一定的负压（实际实验中还会有开通关断瞬时振荡），但负压如果超过了最大值（这个管子是-10伏）可能会损坏管子。因此一般加负压时留一定的裕量。

3、MOS管开关不需要反向电压关断，只是反向电压关断更快速更可靠，要是频率高，控制端串电容就可以产生负压可靠关断，频率低负压也不需要。

4、一般Si-MOSFET的驱动是0~15V，是因为MOSFET运用场合电压等级较低，如果电压等级高也要加负压关断。

mos管关断电压

MOSFET上的；二是你的MOSFET是N还是P型的，这对判断关断还是导通有很大的影响。

缩短电缆长度。在设计mos管线路时，应尽量减少变频器与电动机之间电缆的长度，mos管关断电压可以通过缩短电缆长度来降低两者之间的暂态波过程的振荡周期，以此来降低电动机两端的过电压。

mos管的开通和关断会产生交变电压。当场效应管（MOS管）被关闭（关断）或开启（开通）时，因为MOS管在开启和关闭的过程中，其输入电阻会不断变化，从而导致D-S（DraintoSource）间的电荷和电流发生变化，从而产生交变电压。

尖峰电压不是mos管本身产生的，是电感产生的，关断时电感上的电流不能突变，就会产生反峰电压，一般是用并联电阻和电容组成消除反峰电路。尖峰电压属于浪涌电压里的一种，持续时间极短但数值很高。

mos管关断电阻一般为多少

欧姆和50k。根据查询相关过来信息显示，1000欧姆电阻和50k电器可用于mos管栅极。Mos管用于控制大电流通断，经常被要求数十K乃至数M的开关频率。

.47---1 殴不等，实在看不出的话，也可取0.68殴。

大功率mos管(不仅仅是irfp4468)在开通和关断时基本不需要多大栅极电流，因为只是给寄生电容（P法级）充放电而已，栅极电阻倒是必要的，几百欧姆足以。

mos的内阻值在70到200欧姆之间。因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。

mos管如何关断?

1、功率mosfet 的三个端口，G极，D极，S极。G极控制mosfet的开通，关断，给GS极之间加正向电压(高电平)，达到导通电压门槛值之后就能导通。同理，给一个低电压(低电平)mosfet就能关断。

2、MOS管的完全关断很不容易，你这样肯定不行，形式上关断后，漏电流足够点亮LED了。如果想比较好的关断，需要用到负电压。

3、OR逻辑来连接多个电源的输出。在ORingFET应用中，MOS管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时。

4、如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。

5、将一个电压段接到MOS管的源极。将另一个电压段接到MOS管的漏极。通过控制栅极电压的大小，使MOS管在一个电压段处于导通状态，在另一个电压段处于截止状态。

MOS管过大电流时关断为什么会出现尖峰电压

尖峰电压，是单位电荷在静电场中由于电势不同所造成的。电压（voltage），也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。

有尖峰有可能是吸收电路中C偏小了。RCD电路参数设计网上都有，根据需要自己看吧。还有一个问题，开关频率越高，尖刺也就会越高，如果没有硬性要求，可以把开关频率降一降。

电感性负载具有电感性质：自感电势与电流变化率成正比。开关管关断越快，管子功率损耗越低，但是引起电流突变，导致尖峰电压，所以开关管都有并联续流二极管，使感性负载有能量释放的回路。

关键词：mos管驱动 mos管 电阻

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