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1、比如说，Ugs=10V，Uds=1V，肯定是在可变电阻区了，也就是饱和状态。你的这个图里，Ugs(th)没有说明，这个数据一般要在MOS管前面的数据列表中找。
2、指的是开启电压，最小0.6V，最大2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。
3、这个说的对。Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压，超过就击穿了，所以一般是±20V，使用时不能超过。和上一问一样，只有栅极和源极接正向电压才能导通，而且不能超过20V。接负电压和接0电压一样，都会截止。对。
4、MOS管饱和导通时，Id流过的峰值电流和有效值电流。MOS管在任何时候，结温不能超过（150-5）度。
5、|VGS||VTP (PMOS)|，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。
6、MOS管是电压控制型，双极型晶体管是电流控制型 从电路上分析，理论上Vgs=R2两端电压降Ur2=2*24/12=18V 这个电压与MOS管导通与否没有关系。
如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量，FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。
使用示波器测试电压波形：将MOSFET连接到电路中，使用示波器测试其漏极和源极之间的电压波形，如果波形正常，说明MOSFET工作正常。
准备 测量前，在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连，使人体与大地保持等电位，再把管脚分开，然后拆掉导线。判断电极 将万用表置于R×100档，先确定栅极。
指的是开启电压，最小0.6V，最大2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。
从电路上分析，理论上Vgs=R2两端电压降Ur2=2*24/12=18V 这个电压与MOS管导通与否没有关系。
Vgs是栅极相对于源极的电压。与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。
但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。
MOS管的导通是一个过程，你需要仔仔细细看一下模电书，好好温习一下Ugs(th)的定义。对于N-MOSFET来说，Ugs(th)是指刚刚形成导电沟道所需要的Ugs电压，注意这里的定语——刚刚形成导电沟道。
1、MOS管的驱动电压一般较低，我了解的大多数在10VDC以下吧，当然和你的型号有关，你可以下载其规格书看看。低压MOS一般5Vdc导通的。
2、场效应管的驱动电压是2～4V（极值20V），驱动电流约100nA。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
3、阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。
MOS管的驱动电压一般较低，我了解的大多数在10VDC以下吧，当然和你的型号有关，你可以下载其规格书看看。低压MOS一般5Vdc导通的。
指的是开启电压，最小0.6V，最大2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。
VGS＝3V，电流在8A左右，如果VDS为5V，那负载超过0.625R时就会饱和（8A*0.625R＝5V）。而此时如果电阻只有0.1R，那电流需要50A才能饱和，那VSG就需要约4V才行。
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