小封装mos管（mos管贴片封装引脚图）

发布时间：2023-09-08

阅读量：45

本文目录一览：

1、MOS管是什么?
2、MOS管封装与参数有着怎样的关系,如何选择合适封装的MOS管
3、MOS管封装有哪些?

MOS管是什么?

mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，它们都是在P型backgate中形成的N型区。

MOS管：场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。

它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，简称MOS场效应管。(1)结构原理它的结构、电极及符号见图3所示，以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，作为源极S和漏极D。

小封装mos管（mos管贴片封装引脚图）

MOS管封装与参数有着怎样的关系,如何选择合适封装的MOS管

法则之四：选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

这个主要是看你用在什么上面，然后根据你的应用选择参数。一般来说，考虑的参数是Vds，Ids以及Rds这三个，还有有的会考虑Ciss这个参数的，希望能帮到你。

MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

发热越小。并计算MOS管功耗。最后，根据以上参数：耐压，最大电流和功耗，选择符合以上条件的MOS管。根据允许安装尺寸选择合适的封装。比如top3，to220，to263，to252，dfn8，qfn8，sop8，sot23，sot223等封装。

MOS管封装有哪些?

A，45A，47A，60V55A，61A，62A，69A，90A，105A，60V120A，132A，140A，152A，161A，198A，60V230A，250A，340A，380A，封装有：TO-220，TO-247，TO-252，TO-262，SO8，DFN5*6，DFN3*3，SOT-227。

海飞乐技术有很多规格参数：20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。封装有：TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227。台湾工研院技术支持。

A，40A，300V-50A，59A，120A，300V-260A MOS管。400V-6A，9A，10A，19A，25A，35A，400V-60A MOS管。主要的应用：逆变器、去频闪、通信电源、高压AC DC电源，便携式移动电源。大概这么多了，希望能帮助最好。

V86A，300V88A，300V94A，300V102A的MOS管，300V108A，300V110A，300V120A，300V130A，300V138A，300V140A的MOS，300V150A，300V170A，300V192A，300V210A的MOS管。海飞乐技术封装大功率MOS管，MOS模块。

关键词：小封装mos管 mos管

上一篇：光耦脚（光耦脚位顺序怎么数）下一篇：器件开关参数（器件开关参数怎么看）

返回列表