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测量可控硅好坏的方法如下:万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
单向可控硅的检测:万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。
反向测量,对调万用表红、黑表笔测量可控硅两个主电极,黑表笔再触碰一下可控硅控制极一下再离开,可控硅被触发导通---测量过程同第1次,只是调换了可控硅两个主电极的方向测量了可控硅反向导通和维持导通的能力。
双向可控硅的好坏可以用数字万用表或等效工具进行测量。首先需要将测试电路搭建好,并且开关处于关闭状态。然后将数字万用表转换为电阻测量模式,将其测试笔分别连接到双向可控硅的两端,记录下测试读数。
双向可控硅的检测:用万用表电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。
对于双向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K,灯应不息灭。然后将电池反接,重复上述步骤,均应是同一结果,才说明是好的。否则说明该器件已损坏。
根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
DIP4管脚型ZC三端双向可控硅光电耦合器利用万用表RXl档判定双向可控硅电极的方法,同时还检查触发能力。判定T2极G极与T1极靠近,距T2极较远。因此,G—T1之间的正、反向电阻都很小。
单向可控硅的检测:万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
对于双向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K,灯应不息灭。然后将电池反接,重复上述步骤,均应是同一结果,才说明是好的。否则说明该器件已损坏。
单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。
判断可控硅的好与坏最简单的方法:用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面,电阻应呈无穷大(表针基本不动),再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小,则说明该可控已损坏。
用万用表即可判断双向可控硅的好坏,但具体参数测不出来。
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