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1、IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点,具有电导调制效应,其通流能力很强,但是开关速度较慢,所需驱动功率大,驱动电路复杂。
2、MOSFET优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。
3、IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
4、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
5、IGBT因为有拖尾现象所以一般频率不如MOS管,超过100KHz就算很高了,而VMOS就可以更高。 SCR频率就低了一般也就几百Hz,GTO比SCR高不了多少,GTR稍高可到几K最多几十K。
IGBT的工作原理是是通过加正栅电压形成沟道,作用是为PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。IGBT是绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)IGBT是后起之秀,集MOSFET和GTR的优点于一身,既具有MOSFET的输入阻抗高、开关速度快的优点,又具有GTR耐压高、流过电流大的优点,是目前中等功率电力电子装置中的主流器件。
直流斩波电路的工作原理是将直流信号或电源切成与信号同幅值的单极性或双极性的脉冲波,一般用开关晶体管、场效应管或IGBT来实现。直流斩波将现在的直流电转换成另一种电压的直流电,即DC-DC转换器。
同整流器相反,逆变器是将直流功率变换为所要求频率的交流功率,以所确定的时间使6个开关器件导通、关断就可以得到3相交流输出。以电压型pwm逆变器为例示出开关时间和电压波形。
基本特征:在原来主回路的基础上,采用电流闭环控制,使实际电流快速跟随给定值。优缺点:在稳态时,尽可能使实际电流接近正弦波形,这就能比电压控制的SPWM获得更好的性能。精度高、响应快,且易于实现。
1、三极管在直流电路中工作,通常作为放大器的主要元件。 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。
2、SC3834是50w/7A/200V/30M的大功率开关管,可用2SC2334/2SD866A等直接代换。最好用25寸彩电电源管直接代换,因为是通用货好找也便宜。
3、不同型号能否代换要看它的,只要它的极性相同,参数接近可以代换。C开头属N型硅材料、B开头的属P型锗材料。
4、①、向这三极管2SC3423属于Sⅰ–NPN型管【用途:低频或音频放大】其参数是:/耐压:150V/电流:50mA/功率:50W/放大倍数:80β240/。②、以上管子可直接用:2SC1952SC2682代换。
5、晶体三极管的代换,可以用性能好的代换性能差的,用参数高的代换参数低的,可用开关管代换普通管:在保证PCM不低于原管的前提下,可用高频管代换低频管,用复合管代换单只管。
1、高频卡的感应距离较远,低频卡比较近,两种辐射距离不同,像停车厂里面用高频的,可以不用拿出来刷,车子还没到门就开了。
2、高频电压和低频电压的区别如下:电压。高频电压变化快,低频电压变化慢。频率。高频电压的频率放映交流电一秒内变化次数多,频率快,低频电压的频率放映交流电一秒内变化次数少,频率慢。危险系数。
3、也就是说它们在单位时间的电流方向和强度是变化的,高频(电流)电压和低频(电流)电压的区别就是每秒钟的电流方向和强度变化的周期是不一样的。
4、频率越高的开关电源所用的磁性器件体积越小,像变压器、电感等,可以做的体积小,功率密度高。
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