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1、模电中，三极管主要用作线性放大器，有共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器三种。运算放大器的内部电路以各种形式的三极管放大电路为主。可以说，三极管是模电的基础元件。数电中，三极管一般用于开关放大器。
2、模拟电路中三极管主要工作在放大状态。根据相关公开信息显示，模拟电路中的三极管工作在放大状态，数字电路中的三极管工作在饱和和截止状态。三极管是电路设计中应用非常广泛的半导体元器件。
3、工作在截止区的判断：三极管工作在截止区时，发射结与集电结均为反偏，而在实际的电路中，发射结也可以是零偏置。这样对于小功率NPN型三极管，呈现为Vbe≤0，Vbc0V(具体数值主要决定于电源电压Ec)。
4、饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。
1、答案是A，发射区就可以看做一个二极管，箭头朝里的是锗管，朝外是硅管，锗管饱和导通的压降是0.5伏，硅管0.7伏。因此只有A管导通，B管电压反向，截止。C管0.3V，小于0.5，故没有导通。书中答案是C，真够让人迷惑。
2、饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流，此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下：在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。
3、饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。
4、三极管饱和压降Vce(sat)三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
5、若发射结反偏，三极管工作于截止状态 若发射结正偏，先计算基极电流Ib和集电极电流Ic，再计算集-射压降Vce，若Vce＞Vces=0.3V（Vces为三极管集-射饱和压降），三极管工作于放大状态，否则三极管工作于饱和状态。
模电中，三极管主要用作线性放大器，有共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器三种。运算放大器的内部电路以各种形式的三极管放大电路为主。可以说，三极管是模电的基础元件。数电中，三极管一般用于开关放大器。
“基极控制集电极电流是要怎么理解”，一旦三极管制作完毕，集电极电流和基极电流之比就是一个常数β，被称作共射电流放大系数。
因为R3短路后，T2基极相当于接到Vcc，这时T2的发射结等于个二极管，其正向压降若为Vbe=0.7V，则有 Vo=Vcc-Vbe=12-0.7=13【V】此时因Vbe小于Vces，Vces不发挥作用。
Q1会导通没有疑问吧。（只有5V直流电源下应该是5V，Q1基极满足导通条件。但要注意5V是导通瞬间。
对NPN来说，其实是流入集电极的。 共射电流放大系数是β，β=Ic÷Ib。是晶体管的基本参数。为得到大的β，三极管在制作的时候，基区很薄，掺杂很少，所以Ib很小。但Ib与Ic的理论关系，到目前为止没有很好的解释。
1、图纸上水平的是基极，带箭头的是发射极，不带箭头的是集电极。
2、三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面。可有pnp和npn两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极（emitter，E）、基极（base，B）和集电极（collector，C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。
3、大部分国产硅酮塑封三极管，从正对截角或剖去平面的方向看，从左到右依次是发射极，基极，集电极。超小型三极管将截角的管脚焊片定为发射极，对面是脚是基极，垂直的第三个脚是集电极。
4、三极管的类型：有PNP和NPN两种。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。
5、发射极就是发射电子，基极就是控制电子（使流向集电极的电流受基极输入信号的控制），集电极就是收集电子。三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管的直流等效电路跟交流等效电路完全不一样。在直流输入情况下，基本丧失了放大能力。不能放大直流信号。
三极管放大电路分为交流放大电路和直流放大电路。交流放大电路输入端、输出端有插入隔直电容器做信号耦合，所以只能放大交流信号；直流放大电路可以放大直流信号。
可以的。如：我们常用三极管作开关的作用，就是放大直流信号。也就是基极给一个小的直流电流驱动，C、E极间得到更大的电流。
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