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1、mos防反接一般用于大电流，二极管用于小电流。一般要在G极加稳压管和限流电阻，稳压管作用是稳定VGS电压，保护MOS。mos管DS串接在主电路中。
2、MOS管是一种压控型的半导体器件，可以分为P-MOS和N-MOS，其内阻很小（压降小），可利用其开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路。
3、第一种应用，PMOS管经典开关电路由PMOS来进行电压的选择，当V8V存在时，此时电压全部由V8V提供，将PMOS关闭，VBAT不提供电压给VSIN，而当V8V为低时，VSIN由8V供电。
比如3V电源系统就不适合使用场效应管作为防反接电路设计了，因为触发电压只有3V-0.7V=6V，无法触发场效应管导通。
一般是10欧的，10k下拉电阻，10欧足够了，场管是电压控制元件1M的电阻都可以触发导通。
二极管的正反向电阻根据材料有所不同，有大有小但一般来说反向电阻的阻值都会在300kΩ~无穷大，而一般正向电阻则会比反向电阻小100倍以上。例如：小功率锗二极管的正向电阻为300Ω～500Ω，硅工极管为lkΩ或更大些。
1、不建议电鱼，一方面，自身人身安全系数不高。另一方面，违法。再就是，有很多圣母。告诉电压，好算电流和画图。
2、一般都是用NMOS和PMOS的互补结构构成反相器吧！别的结构好像不太稳定。
3、它是电压控制电流型器件，放在直流输入端是起放大作用的。之所以称为增强型是因为在Vgs=0时没有导电沟道，而必须依靠栅源电压的作用，才能行成感生沟道。转移特性可有公式：Id=Ido(Vgs/Vt-1)^2来画出。
4、七彩虹 七彩虹科技发展有限公司是国内著名的DIY硬件厂商，主要生产显卡和主板。七彩虹显卡算是我国显卡生产商中非常知名的品牌，进入到今年已经成为了出货量最高的品牌，这个品牌的显卡最大的特点就是高性价比。
5、n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
MOS管，如果漏极与源极的电压反接，就是当作二极管来用了。MOS管，漏极和源极之间反并有一寄生二极管。
一般功率MOS管是有方向的，你可是测试一下，源漏可以等效成一个二极管。接反了就直通了。
当栅源压差大于导通电压（vth）后，场效应管就开始导通了，实际应用中，经常把源极接在gnd上，方便管子的开启关断。
看局部电路是否含有电源。含电源的部分称为有源区，不含电源的部分称为无源区。
好奇葩的问题！如果源级电压小于漏极电压，那么栅漏电压大于开启电压的同时栅源电压也必然大于开启电压，也就是开启。如果源级电压高于漏极电压，那两者就反过来了，还是开启。
MOS管有四个极：漏极Drain，源极Source，栅极Gate，衬底Bulk。
1、防反接电路，主要是保护充电器。一般采用继电器 mos管 也有采用可控硅做保护的。
2、后端接电动车充电口的线如果接反了，会造成短路现象。电动车安装了空开的，空开会马上跳闸，对电池有一定的影响，还影响很小，对电池连接线和控制器的线路影响较大，各线路特别是接头处容易出现打火烧坏现象。
3、对电池不会产生影响。在大部分充电器没有反接保护，上去就烧了，有反接保护的充电器就没关系了。充电器接反相当于两倍于电池电压短路。会造成很大电流。所以马上会炸保险或充电器。
4、充电接反时会有很大的电流流过电瓶和充电器，所以充电器烧坏了。电瓶因为电流太大，会剧烈发热使极板澎胀受损，活性物质脱落，降低蓄电量和使用寿命。
5、红灯）时，非常容易损坏充电器。常用的开关电源式充电器又分半桥式和单激式两大类，单激类又分为正激式和反激式两类。半桥式成本高，性能好，常用于带负脉冲的充电器；单激式成本低，市场占有率高。
用48V电动车控制器上的MOS管就行了，比如STP75NF75。到修理店几元钱买一个坏的电动车控制器，就得一堆MOS管，够你用。不过电动车控制器上的MOS管基本都是N管，不懂你的电路是用P管还是N管。
TO-92；②表面贴装式：TO-26TO-25SOP-SOT-2DFN5*DFN3*3；不同的封装形式，MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样，简单介绍如下。
Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。
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