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可控硅整流的原理如下:可控硅整流的晶闸管T在工作过程中,阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。
可控硅的工作原理:双向可控硅:双向可控硅是一种硅可控整流器件,也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。
其原理根据负载RL上有电压UL输出。Ug到来得早,可控硅导通的时间就早;Ug到来得晚,可控硅导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间,就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。
可控硅原理是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压,在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后,松开按钮开关,去掉触发电压,仍然维持导通状态。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。
双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T2极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极(G)。
双向可控硅:双向可控硅是一种硅可控整流器件,也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。
可根据判断可控硅控制极(G)与阴极(K或A2)性能的来判断。根据被检测晶闸管的功率大小,将万用表置于合适的电阻档,小功率的选择×10;大功率选择×100。短接两表笔较表,较对万用表指针在“0”的位置。
用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面,电阻应呈无穷大(表针基本不动),再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小,则说明该可控已损坏。
正、反向电阻值相等或差异极小。说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结,有明显的正、反向电阻的差异。这种测量方式是有局限性的,当A、K之间已呈故障开路状态时,则无法测出好坏。
单向可控硅用万用表的R乘1欧挡。用红黑笔测任意两引脚间的正反向电阻。找出读书为数十欧姆的一对引脚,其中黑表笔为G极,红表笔为K极,空引脚为A极。
单向可控硅可以判别,最好模拟万用表,可控硅内部有一个PN结,PN的判断跟二极管一样,先把它找出来,这样就找出了控制极——万用表的正极表笔,还有阴极——万用表的负极表笔,剩下那个就是阳极。
就可以认为是好的可控硅,可正常使用,否则就是坏的。可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。
控硅对过压的承受能力低,门极断开时,晶闸管的正向漏电流比一般硅二极管反向漏电流大,且随着管子正向阳极电压升高而增大。当阳极电压升到足够大时,会使晶闸管导通,称为正向转折或“硬开通”。多次硬开通会损坏管子。
洗衣机电路可控硅击穿的原因有两种。电子元件可控硅原件老化而损坏。负荷较大可控硅发热严重,电路板因防水散热不太好而击穿。
有几种可能:可控硅选小了 散热面积不够 可控硅与散热片接触面没有压紧。调功柜通风系统不好,空气不对流。
可控硅容易击穿有两个原因,一个是工作时的电流过大了,查看一下,负载是不是有短路之处。二是可控硅的耐压有点低,而实际的工作电压处于可控硅的临界电压,所以,很容易击穿了。可以选耐压更高的可控硅吗。
1、解析:用单片机做PWM控制电加热器的加热功率请问控制思路可以这么考虑:加热功率的大小由输出脉冲的占空比决定,占空比大,则加热功率就大。
2、对于要求温度精度高的需要来说,要根据加热器具的性质来决定采取什么控制方式。对于800W的交流220V的普通加热器来说,用可控硅方式比较合适。
3、这要看你的IGBT是控制什么器件了,不同的负载需要不同的驱动。就IGBT一般作为开关使用来看,单片机PWM信号直接驱动IGBT栅极这个方式不是太好。
1、用大功率可控硅做成无触点开关,这样不只是安全,也可以减小能量损耗。具体选用多大的要用万用表测出线圈电阻和电容电压,算出放电电流。
2、当然用电磁继电器是最好的选择,最好在淘宝网上或电子元件商店购买,自制需要的电流都可以发射电磁炮了··· 不过也可以在磁铁上包上电阻小的导体(锡箔等),然后用小型电磁铁让磁铁自己吸到电路上,联通电路。
3、可控硅都有瞬间电流的工作状态,只要不是连续的是可以的,你看看可控硅的参数是有这一项的。
4、我就不细说了,基本上就是利用电容放电特性,弹丸通过线圈中点时电容已经放完电,防止反拉,具体需要计算,你可以上网找一个线圈炮计算器,是英语版的。
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