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开关频率高的器件（开关频率最高的电力电子器件）

发布时间：2023-09-09
阅读量：51

本文目录一览：

二极管和igbt那个导通电阻大

1、二极管不用说了吧，单向导通，可以实现整流。

2、IGBT耐压值是IGBT里面反向二极管的参数，导通内阻只与半导体材料的本身属性有关。

3、IGBT输出是双极型的，导通电阻随负载电流变化而变化，一般不用导通电阻，用饱和压降来来表示，饱和压降在0.2-0.7v之间。

4、igbt的e级和g极并联电阻的大小应该是无穷大，因为IGBT管的输入级是场效应管。

gtr是什么元器件

1、GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。

2、GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。主要用于大功率领域。

3、IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

4、兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

5、GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

6、功率：（1）在直流电路中，功率为电压乘以电流，我们约定，在关联参考方向下，给定电路中元件上的电压电流大小之后，计算得到的功率数值大于0时，称元件“吸收”功率（能量），小于0时称元件“发出”功率（能量）。

高频二极管的几种常用高频二极管的特点

超快恢复二极管 在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间Trr比FRD更短，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。

整流二极管结构主要是平面接触型，其特点是允许通过的电流比较大，反向击穿电压比较高，但PN结电容比较大，一般广泛应用于处理频率不高的电路中。例如整流电路、嵌位电路、保护电路等。

其特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般 IF＜500 毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装。

整流二极管。利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。检波二极管。把叠加在高频再波中的低频信号检测出来的器件，具有较高的检波频率和良好的频率特性，其在收音机中起检波作用。

直流高压发生器的产品简介

1、直流高压发生器具有多种保护功能，如：低压过流、低压过压、高压过流、高压过压、零位保护、不接地保护等。

2、仪器操作安全方便，全微机化装置，内置进口高性能CPU，可靠性高，按界面提示设定测试值后，不需人工接触被测试设备，仪器自动完成测试，使试验人员远离高压电路，确保其人身安全。

3、直流高压发生器是提供直流高压电源，专门用来检测电力仪器的电气绝缘强度和泄露电流情况，是根据《便携式直流高压发生器通用技术条件》要求进行研制生产的。

4、直流高压发生器有什么用途？新一代便携式直流高压发生器。主要适用于氧化锌避雷器、电力电缆、变压器、发电机等高压电气设备的DC耐压试验。电力部门、工矿、冶金、钢铁等企业的动力部门。

肖特基二极管SR5100可以用什么代替?

1、这是肖特基二极管，可用SR5200或MBR5200代换！找规格书看看，耐压和电流够就能替换！UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。

2、R5100二极管可代替的型号有很多，例如：SR5A0、SR5SB5100等，也可以用参数稍大的来代替，如：SB10100、SR10A0、SR10100等。R5100即SR5100二极管，为5A/100V的肖特基二极管。

3、您好，请问您想问的是二极管SR5100参数及代换是什么吗？二极管SR5100参数是5A/100V。二极管SR5100可以用SB5100直接代换。二极管SR5100属于肖特基二极管，封装DO-27，其比较突出的特点是正向压降低，反向恢复时间极短。

关键词：导通电阻 特基二极管 高频二极管 电阻 肖特基二极管 开关频率高的器件

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