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因为是发射极输出，为三极管电流放大模式。实际运用中，T1，T2都要有相应的偏置电路。
这是个非常简单的直流稳压电路，Q1是输出级调整管，Q2是负反馈放大管。
三极管放大原理如下：因为基极空穴较少，所以发射极电子被集电极电场吸引进入集电极过程与基极空穴复合概率较小，当基极电流增大（空穴增多）时，因为电子与基极空穴复合概率较小。
放大电路是利用具有放大特性的电子元件，如晶体三极管，三极管加上工作电压后，输入端的微小电流变化可以引起输出端较大电流的变化，输出端的变化要比输入端的变化大几倍到几百倍，这就是放大电路的基本原理。
末级两个大功率互补三极管，构成了推挽输出电路。具体说，就是VT2放大后的电压经VT3和VT4构成的设计跟随器扩流后驱动喇叭负载。建议你从最基础的晶体管电路着手学习。
首先来说一下NPN型，这种型号的三极管在用于开关状态时，大都是按图一的接法：发射极接地，集电极接高电平，基极接控制信号。
三极管不存在串联问题，只有前后级的关系，两极之间的信号传递称为“耦合”，有交流耦合、直流耦合之分。
这其实是两级放大器的电路。信号首先经过下面的三极管放大，这是一个共发射极放大器，信号从基极输入，由集电极输出，再连接到上面的三极管放大。上面是一个共基极放大器，信号从发射极输入，从集电极输出。
的基极并在一起就有问题了。可以在每个管子的基极串接一个5K电阻，再将电阻分别并联后连接到单片机端口，以保证每个管子满足导通条件。如果要更有效的驱动，可以将高端的3换成PNP管，每个管子用单独的端口驱动。
这个电阻的作用是提高可靠性。半导体器件处于截止状态时，并非断路，实际上是高阻态。如果器件连通电源，就会有漏电流通过。虽然漏电流常常可以忽略，但有时忽略它却可能导致不安全。以此图为例。的基极可能与某半导体器件串联。
末级两个大功率互补三极管，构成了推挽输出电路。具体说，就是VT2放大后的电压经VT3和VT4构成的设计跟随器扩流后驱动喇叭负载。建议你从最基础的晶体管电路着手学习。
主要起到提高增益的作用，提高放大倍数。 比如常见的2个三极管级联组成的达林顿管，就可以驱动一些功率比较大的负载。
这其实是两级放大器的电路。信号首先经过下面的三极管放大，这是一个共发射极放大器，信号从基极输入，由集电极输出，再连接到上面的三极管放大。上面是一个共基极放大器，信号从发射极输入，从集电极输出。
总之，手机充电器开关电源中两个三极管相互连接的设计是为了优化电源性能和稳定性。
V1和V2的接法是复合三极管，很常见。主要是一个三极管的放大倍数太小，不能满足要求，这样复合后，放大倍数是两者的乘积。如果倍数不够，还可以再加一个三极管。很多 达林顿管 的内部就是这样复合的。
两个三极管连在一起形成一个类似复合三极管的结构，其目的应该是为了增加驱动能力。图中的三极管和延时无关。其延时电路由100uf电容，51k电阻和9013的BE结电阻组成。
是的，三极管内部的PN结是串联关系。一个三极管通常由三个不同掺杂的半导体区域（即P型、N型、P型或N型、P型、N型）组成，这些区域形成了两个PN结，一个是发射极区域的PN结，一个是集电极区域的PN结。
可以的。(达林顿法)串联可以把总的电流放大系数提高到βz = βa×βb，βa和βb分别是两个三极管的电流放大系数。并联可以提高输出电流，性能相同的两个三极管并联，可将输出电流提高到原来的二倍。
首先来说一下NPN型，这种型号的三极管在用于开关状态时，大都是按图一的接法：发射极接地，集电极接高电平，基极接控制信号。
末级两个大功率互补三极管，构成了推挽输出电路。具体说，就是VT2放大后的电压经VT3和VT4构成的设计跟随器扩流后驱动喇叭负载。建议你从最基础的晶体管电路着手学习。
三极管不存在串联问题，只有前后级的关系，两极之间的信号传递称为“耦合”，有交流耦合、直流耦合之分。烧坏三极管的原因主要是偏置电流设置过大。
这是标准的串联稳压电路，但是三极管不是稳压的，它只是作为调整管，用来调整电压。
1、发射极就是发射电子，基极就是控制电子（使流向集电极的电流受基极输入信号的控制），集电极就是收集电子。三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
2、呵呵，发射极和基极连接在一起的作用，是利用三极管对温度敏感的特点，来做温度检测探头。
3、末级两个大功率互补三极管，构成了推挽输出电路。具体说，就是VT2放大后的电压经VT3和VT4构成的设计跟随器扩流后驱动喇叭负载。建议你从最基础的晶体管电路着手学习。
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