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流过二极管的电流，肖特基二极管反向漏电流较大，选择肖特基二极管是尽量选择IR较小的二极管。额定电流IF：指肖特基二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
肖特基二极管模块也叫肖特基模块，最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。
是的 MBR1045CT是肖特基二极管，并且封装应该是TO-220AB半塑封，但是不能用普通整流二极管替代，因为肖特基可以适应高频超高频电路整流，但是普通整流二极管只能适用中低频的电路整流。
编辑-Z 肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），是一种低功率、超高速的半导体器件。肖特基二极管SBT30100VDC最显着的特点是反向恢复时间极短，正向压降仅为0.4V左右。
肖特基二极管又被称为肖特基势垒二极管（简称 SBD），是一种低功耗、超高速半导体器件。肖特基二极管最显著的特点是反向恢复时间极短，正向导通压降仅为0.4V左右。
选用外表封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装办法，有A~19种管脚引出办法。
锗二极管正向压降最小，约为0.2~0.3V；硅肖特基二极管的正向压降为0.4~0.5V。
现在的开关二极管几乎只有1N4148这一个型号，其最大正向电流为150mA，耐压值为75V。1N4148是一种小型的高速开关二极管，开关比较迅速，广泛用于信号频率较高的电路进行单向导通隔离，通讯、电脑板、电视机电路及工业控制电路。
锗二极管的导通电压在0.2~0.3V左右，要低于肖特基二极管。
1、肖特基二极管基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。
2、肖特基二极管是利用金属半导体接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。作为低压，高频整流器或者整流桥，极性保护二极管，适用于紧凑型，小型的系统。
3、肖特基光敏二极管（phototransistor）是一种由二极管和光敏电阻组成的光电器件。它的工作原理是在二极管的基极和收集极间放置一个光敏电阻。当光照射到这个电阻上时，电阻会产生电流，进而导致二极管的动态电流增加。
低压降肖特基的优势在于，更低的电源无效损耗，能提升电源的转化效率。例如有45V常规肖特基压降为0.58V，电源转化效率88%；而低压降肖特基的压降0.42V，电源转化效率92%，能提升电源转化效率4%。
肖特基二极管主要优点：正向压降低，约只有一般硅二极管的一半。在下向导通时由于正向电压低消耗的二极管上的功耗也小。反向恢复时间小，比超快速恢复管还要小得多。
其最大的优点是能耗更低，功率转换效率更高。可以看下面的数据对比，看看低压差的性能优势。低压降肖特基二极管是在肖特基二极管的基础上发展起来的，最大的优点是低压降二极管具有较低的VF值，满足客户对压降的需求。
低压降肖特基二极管是正向压降比普通肖特基二极管还要低的一种半导体器件，可以理解成升级版性能更优，压降更低的肖特基二极管。压降越低，效率越高。 低压降的优势在于，更低的电源无效损耗，能提升电源的转化效率。
肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。
肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管正向压降低很多，所以自身功耗较小，效率高。肖特基二极管由于反向电荷恢复时间极短，所以适宜工作在高频状态下。能耐受高浪涌电流。
检波(也称解调)肖特基二极管的作用是利用其单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来，广泛应用于半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电路中，其工作频率较高，处理信号幅度较弱。
肖特基二极管被广泛应用于变频器、开关电源、驱动器等电路，作为低压、高频、大电流整流二极管、保护二极管、续流二极管等使用，肖特基二极管在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
SS34为贴片肖特基二极管，常用在小电流的（模型）电调上用，用于电路瞬间整流。SS34这个肖特基二极管的作用有两个：起开关电路输出续流作用，保持输出电流的连续性；起反向隔离作用，防止输出端的12V电压反向影响输入端。
肖特基二极管的主要作用在高频，低压，大电流整流二极管，续流二极管，保护二极管，还可用作微波通信等电路中的整流二极管和小信号检测器二极管。在通信电源，变频器等中更为常见。
通常它多出现在通信电源以及变频器等地方，它能够在很短的时间内进行反向的恢复，并且能够很好的提高晶体管的开关速度。而且在很多实际的操作中可以发挥都很好的辅助作用。
作用：（1）肖特基二极管是一种热载流子二极管。
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